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高真空多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) JCP500品牌
研博智創(chuàng)產(chǎn)地
河北樣本
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設(shè)備主要技術(shù)參數(shù):
1.真空腔室
Ф500×H420mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼,前開門結(jié)構(gòu);
2.真空系統(tǒng)
復(fù)合分子泵+直聯(lián)旋片泵+高真空閥門組合的高真空系統(tǒng),數(shù)顯復(fù)合真空計(jì);
3.真空極限
6.0×10-5Pa(設(shè)備空載抽真空24小時(shí));
4.漏率
設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h;
設(shè)備保壓:停泵12小時(shí)候后,真空≤10Pa;
5.抽速
(空載)從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min;
6.基片臺(tái)尺寸
Φ150mm范圍內(nèi)可裝卡各種規(guī)格基片;
7.基片臺(tái)旋轉(zhuǎn)與加熱
基片旋轉(zhuǎn):0~20轉(zhuǎn)/分鐘;
加熱:室溫~500±1℃,可控可調(diào),日本島電PID智能溫控閉環(huán)控溫;
8.濺射靶
配置3套3英寸永磁共焦磁控濺射靶(濺射靶角度、高度可調(diào));
磁控靶RF、MF、DC兼容,可以濺射磁性材料,
磁控靶配有氣動(dòng)擋板結(jié)構(gòu);
暫無數(shù)據(jù)!