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磁控濺射設備品牌
研博智創(chuàng)產地
河北樣本
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真空極限:濺射室:8.0×10-5Pa(空載,經烘烤除氣后); 抽速:濺射室(空載)從大氣抽至4.0×10-4Pa≤30min; 基片臺尺寸:Φ120mm范圍內可裝卡各種規(guī)格基片; 濺射室腔體加熱:可實現(xiàn)濺射室內環(huán)境加熱,加熱溫度室溫~300℃;
特點/用途: 磁控濺射設備主要由進樣室、濺射室、永磁磁控濺射靶、脈沖偏壓電源、樣品臺、樣品臺加熱、真空系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、PLC+工控機+液晶屏全自動控制系統(tǒng)等組成。該設備操控方便;結構緊湊,占地面積小。 磁控濺射設備用于納米量級復合膜、多層膜等制備;適用于三靶單獨濺射、依次濺射、共同濺射;可濺射磁性材料;適用于制備金屬膜、合金膜、半導體膜、陶瓷膜等。 基于該設備,離子源清洗裝置在Load-lock室,樣品先經過清洗,在由送樣系統(tǒng)傳遞到真空濺射腔室,進行下一步的濺射鍍膜。
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