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高真空多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) JCP350
高真空多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) JCP350

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

高真空多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) JCP350

品牌

研博智創(chuàng)

產(chǎn)地

河北

樣本

暫無(wú)
研博智創(chuàng)任丘科技有限公司

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第1年

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一、整機(jī)簡(jiǎn)述: 特點(diǎn)/用途 該設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計(jì),PLC觸摸屏控制,操控方便,結(jié)構(gòu)緊湊,占地?。辉O(shè)備廣泛應(yīng)用于高校、科研院所的教學(xué)、科研實(shí)驗(yàn)以及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實(shí)驗(yàn)及開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品等,深受廣大用戶(hù)好評(píng); JCP350高真空多靶磁控濺射鍍膜機(jī),可單靶獨(dú)立、多靶輪流和組合向心共濺射;各濺射靶及基片臺(tái)均配獨(dú)立擋板,保證鍍膜的工藝性(預(yù)濺射、多層膜、摻雜、防止交叉污染和干擾等);設(shè)備樣品臺(tái)可加負(fù)偏壓對(duì)樣品進(jìn)行等離子清洗活化、輔助濺射功能。 該設(shè)備主要用來(lái)開(kāi)發(fā)納米級(jí)單層及多層的金屬導(dǎo)電膜(可選配強(qiáng)磁靶鍍磁性材料薄膜)、半導(dǎo)體膜以及陶瓷絕緣薄膜等。 二、設(shè)備主要技術(shù)參數(shù): 1.真空腔室 φ350×H350mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼真空腔室; 2.真空系統(tǒng) 復(fù)合分子泵+直聯(lián)旋片泵+高真空氣/電動(dòng)閥門(mén)高真空系統(tǒng),數(shù)顯復(fù)合真空計(jì); 3.真空極限 極限真空優(yōu)于6.6×10-5Pa(設(shè)備空載抽真空24小時(shí)); 4.漏率 設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h; 設(shè)備保壓:停泵12小時(shí)候后,真空≤10Pa; 5.抽速 (空載)從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min; 6.基片臺(tái)尺寸 Φ120mm范圍內(nèi)可裝卡各種規(guī)格基片; 7.基片臺(tái)旋轉(zhuǎn)與加熱 基片旋轉(zhuǎn):0~20轉(zhuǎn)/分鐘; 加熱:室溫~500±1℃,可控可調(diào),日本島電PID智能溫控閉環(huán)控溫; 8.濺射靶 2英寸磁控靶,2只;兩靶共焦濺射,另預(yù)留1只靶位; 兼容直流/射頻電源濺射; 標(biāo)配直流/射頻濺射各1臺(tái);磁控靶配有氣動(dòng)擋板結(jié)構(gòu); 9.工作方式 各靶可獨(dú)立/順次/共同工作,采用磁控靶從下向上濺射鍍膜; 10.膜厚不均勻性 ≤±5%(基片臺(tái)Φ75mm范圍內(nèi)); 11.控制方式 PLC+觸摸屏人機(jī)界面半自動(dòng)控制系統(tǒng); 12.報(bào)警及保護(hù) 對(duì)泵、電極等缺水、過(guò)流過(guò)壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施;完善的邏輯程序互鎖保護(hù)系統(tǒng); 13.占地 (主機(jī))L1600mm×W800mm×H1920mm。

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