看了馬爾文帕納科XRD系列晶向定位的用戶又看了
虛擬號將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號
XRD 系列
晶圓和鑄錠快速準(zhǔn)確的晶向定位
從全自動(dòng)的在線分析到晶圓材料的快速質(zhì)量檢查,我們的晶向定位解決方案在
設(shè)計(jì)時(shí)考慮到了晶棒、鑄錠、切片和晶圓的全部應(yīng)用場景。此系列產(chǎn)品利用
XRD分析技術(shù)在晶圓生產(chǎn)的全部流程中,提供簡單、快速、高精度的晶體定
向測量,大大提高產(chǎn)品良率。
Omega/Theta(XRD)
用于超快晶體定向的全自動(dòng)垂直三軸XRD
10秒內(nèi)完成定向
定向精度:0.003°
定向轉(zhuǎn)移技術(shù):多鑄錠取向測定,實(shí)現(xiàn)高效切割
晶錠端面及定位邊定向和轉(zhuǎn)移夾具可選
光學(xué)測量工具可選,可測樣品直徑、平邊/V 槽位置、形狀、長度、深度
適應(yīng)不同樣品的精密樣品轉(zhuǎn)盤、mapping臺(tái)和工裝夾具
搖擺曲線測量
DDCOM(XRD)
緊湊型超快晶體自動(dòng)定向儀
10秒內(nèi)完成定向
定向精度:0.01°
兩個(gè)閃爍探測器
專為方位角設(shè)置和晶向標(biāo)記而設(shè)計(jì)
可測直徑為 8 mm 至**225 mm的晶圓和晶錠
無需水冷
SDCOM(XRD)
用戶友好的緊湊型多功能XRD
超快測量,10秒內(nèi)返回結(jié)果
定向精度:0.01°
定向轉(zhuǎn)移技術(shù):多鑄錠取向測定,實(shí)現(xiàn)高效切割
光學(xué)測量工具可選,可測樣品直徑、平邊/V 槽位置、形狀、長度、深度
樣品直徑1-200mm
無需水冷
XRD-OEM
在線晶體定向測定
標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)接口,可集成到任何自動(dòng)化或加工系統(tǒng)中
線切/研磨前對大型晶錠進(jìn)行全自動(dòng)在線定向
可內(nèi)置于磨床和切割機(jī)等惡劣環(huán)境中使用
平邊/V槽的光學(xué)測量功能,如位置、形狀、長度、深度等
Wafer XRD 200 / 300
Wafer XRD 200
無縫融入生產(chǎn)線的全自動(dòng)高速XRD
用于3-8英寸晶圓片
定向精度:0.003°
產(chǎn)能:100萬片/年
幾秒鐘內(nèi)提供各種基本參數(shù)的關(guān)鍵數(shù)據(jù),如晶體取向和電阻率、幾何特征(如 V 槽和平槽)、距離測量等
全自動(dòng)處理和揀選晶圓片
Wafer XRD 300
用于300mm晶圓生產(chǎn)的高速XRD
超快速提供12英寸晶圓的晶體取向和幾何特征等
定向精度:0.003°
幾秒鐘內(nèi)提供各種基本參數(shù)的關(guān)鍵數(shù)據(jù),如晶體取向和電阻率、幾何特征(如 V 槽和平槽)、距離測量等
附加功能
晶圓面掃 鑄錠堆垛
自動(dòng)化晶圓揀選 小樣品夾具
暫無數(shù)據(jù)!
隨著動(dòng)力電池和新能源汽車的需求爆發(fā),鋰電正極材料也正在快速迭代,其中三元材料逐漸成為動(dòng)力電池的主流選擇。目前三元材料中的鎳鈷錳成分分析多采用ICP分析方法,化學(xué)分析過程相對復(fù)雜、分析時(shí)間長、梯度稀釋誤
2021-08-06
活動(dòng)回顧近日,第十八屆藥機(jī)展(PMEC 2025 )在上海新國際博覽中心落下帷幕,馬爾文帕納科攜麥克默瑞提克在此次展會(huì)所展示的顆粒、粉體等先進(jìn)表征技術(shù)備受業(yè)內(nèi)人士關(guān)注。稍顯遺憾的是很多行業(yè)
展期:2025年6月24日-26日展館:上海新國際博覽中心W5館地址:上海市浦東新區(qū)龍陽路2345號展位號:W5P10W5P10 馬爾文帕納科展位效果圖2025年6月24日至26日,馬爾文帕納科(Ma
XRD(X 射線衍射)高通量測試是一種能在短時(shí)間內(nèi)對大量樣品進(jìn)行快速分析的技術(shù),其發(fā)展與應(yīng)用主要源于傳統(tǒng) XRD 測試在面對復(fù)雜樣品體系和大規(guī)模分析需求時(shí)的局限性。馬爾文帕納科最新推出了Aeris高容
粒度儀數(shù)據(jù)反映顆粒的大小分布,而分形維數(shù)則是對這種分布背后 “形態(tài)復(fù)雜性” 的量化。通過計(jì)算分形維數(shù),能從傳統(tǒng)粒度分析中挖掘出更深層的結(jié)構(gòu)信息,為理解顆粒的形成機(jī)制、優(yōu)化制備工藝、預(yù)測性能提供重要依據(jù)
本文摘要SiC端面傾角度數(shù)會(huì)影響晶體生長動(dòng)力學(xué)、界面特性和器件的電場分布,決定了SiC功率器件的性能,傾角控制精度已從“工藝參數(shù)”升級為“核心競爭力”,本文將介紹4°傾角及其方向的重要性,以及馬爾文帕
本文由馬爾文帕納科XRD應(yīng)用專家陳辰供稿本文摘要PLSR 偏最小二乘回歸(Partial Least Squares Regression)是一種常用于處理多重共線性數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)建模方法。用于XRD定量