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等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 極限真空：≤6.67x10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)； 頻率： 13.56MHz； 控制方式：手動(dòng)邏輯控制； 氣路系統(tǒng)：4路進(jìn)氣及不銹鋼管路、截止閥等； 設(shè)備主要用途： 該系列設(shè)備應(yīng)用等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)，主要用來(lái)制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電及金屬膜。等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積可以較大幅度地降低沉積反應(yīng)的溫度，使其在熱穩(wěn)定性差的基底表面上進(jìn)行沉積成為可能。反應(yīng)溫度的降低還可以有效抑制器件制作過(guò)程中的層間擴(kuò)散。沉積溫度的降低，還可以降低熱應(yīng)力失配。 設(shè)備的主要技術(shù)參數(shù):
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