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Primo nanova?12英寸刻蝕設(shè)備品牌
中微公司產(chǎn)地
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Primo nanova?是中微基于電感耦合（ICP）技術(shù)研發(fā)的12英寸刻蝕設(shè)備。它可以配置多達(dá)六個刻蝕反應(yīng)腔和兩個可選的除膠反應(yīng)腔。其中刻蝕反應(yīng)腔采用了軸對稱設(shè)計，具有高反應(yīng)氣體通量。ICP發(fā)射天線采用了中微具有自主知識產(chǎn)權(quán)的低電容耦合3D線圈設(shè)計，可實現(xiàn)對離子濃度和離子能量的高度獨立控制。反應(yīng)腔內(nèi)部涂有高致密性、耐等離子體侵蝕材料，以獲得更高的工藝重復(fù)性和生產(chǎn)率。設(shè)備還采用了多區(qū)細(xì)分的高動態(tài)范圍溫控靜電吸盤，使加工出的集成電路器件的關(guān)鍵尺寸達(dá)到高度均勻性。Primo nanova適用于1X納米及以下的邏輯和存儲器件的刻蝕應(yīng)用。
低電容耦合3D線圈設(shè)計
高抽速大容量渦輪泵
精密的腔體溫控系統(tǒng)
先進的高致密性、耐等離子體侵蝕涂層工藝
多區(qū)細(xì)分的高動態(tài)范圍溫控靜電吸盤
阻抗可調(diào)聚焦環(huán)設(shè)計
切換式雙頻偏壓系統(tǒng)
可選的集成除膠反應(yīng)腔
可選的Durga ESC
離子濃度和離子能量獨立可控
高排氣量和更寬的工藝窗口
優(yōu)秀的刻蝕均勻性
優(yōu)異的高深寬比刻蝕性能
高生產(chǎn)效率，低生產(chǎn)成本（CoO）
暫無數(shù)據(jù)！
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