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EPEE i200系列主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉積工藝，平臺式多反應(yīng)腔架構(gòu)，兼容Si、SiC、GaAs等不同襯底材料，廣泛應(yīng)用于集成電路、化合物半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體、半導(dǎo)體照明、硅基微型顯示、科研等領(lǐng)域。
設(shè)備特點
?先進的單腔雙片架構(gòu)，兼具產(chǎn)能和性能優(yōu)勢
?高效傳輸系統(tǒng)，智能軟件調(diào)度算法
?高效遠程等離子體清洗系統(tǒng)，良好的顆?？刂?/span>
?支持氣態(tài)硅烷和液態(tài)正硅酸乙酯兩類沉積工藝
產(chǎn)品應(yīng)用
?晶圓尺寸：6/8英寸兼容
?適用材料：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、PSG、BPSG
?適用工藝：掩膜層沉積、鈍化層沉積、絕緣層沉積
?適用領(lǐng)域：集成電路、化合物半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體、LED、硅基微顯、科研