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碳化硅、氮化鎵靠邊站,最佳半導(dǎo)體材料出現(xiàn)
中國(guó)粉體網(wǎng)訊 據(jù)最新一期《科學(xué)》雜志,來自美國(guó)麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)和其他機(jī)構(gòu)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)表明,一種名為立方砷化硼的材料克服了硅作為半導(dǎo)體的兩個(gè)限制:為電子和空穴提供很高的遷移率,并具有良好的導(dǎo)熱性能。研究人員說,它可能是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好的半導(dǎo)體材料,F(xiàn)有三代半導(dǎo)體材料一覽在現(xiàn)有的全部三代半導(dǎo)體材料中,第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)、鍺(Ge)為代表,硅基材料是目前主流邏輯芯片和功率器件的基礎(chǔ),現(xiàn)代科技便是建立在以硅為代表的這類半導(dǎo)體材料之上的成果,目前90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是以硅為襯底制成的。然而,硅在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應(yīng)用卻受阻,且硅在高頻下的工作性能較差,不適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)景。第二代半導(dǎo)..【詳細(xì)】
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