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【原創(chuàng)】無稀土,不芯片


來源:中國粉體網(wǎng)   平安

[導(dǎo)讀]  稀土在芯片制造的多個環(huán)節(jié)中發(fā)揮著不可替代的作用

中國粉體網(wǎng)訊  在高度信息化的今天,芯片已經(jīng)成為不可或缺的基礎(chǔ)設(shè)施。從智能手機、個人電腦到服務(wù)器、超級計算機,乃至人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛等前沿科技,都離不開高性能、高可靠性的芯片。芯片的性能直接決定了電子設(shè)備的運行速度、功耗以及智能化水平。


芯片制造是一項極其復(fù)雜和精密的工程,涉及材料科學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)、電子工程等多個學(xué)科。其制造過程需要數(shù)百道工序,每一道工序都對材料和設(shè)備的性能提出了極高的要求。近年來,隨著摩爾定律逼近物理極限,芯片制造面臨著越來越多的挑戰(zhàn)。為了突破這些瓶頸,研究人員不斷探索新的材料和工藝,其中,稀土元素因其獨特的光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì),在芯片制造中扮演著日益重要的角色。



稀土元素在光刻技術(shù)中的應(yīng)用


光刻是芯片制造中最核心的工藝之一,其分辨率直接決定了芯片的集成度。光刻技術(shù)通過將設(shè)計好的電路圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面,從而定義出芯片上的各種微觀結(jié)構(gòu)。據(jù)中國稀土學(xué)會的專家們介紹,稀土元素在光刻機和光刻膠中均有重要應(yīng)用,對提升光刻分辨率和圖案質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。


光刻機


光刻機的鏡頭系統(tǒng)需要使用高折射率的光學(xué)玻璃,以提高分辨率和成像質(zhì)量。隨著光刻技術(shù)向更短波長方向發(fā)展(例如極紫外光刻EUV),對光學(xué)材料的性能要求也越來越高。通過在玻璃中摻雜不同的稀土元素,可以調(diào)節(jié)其光學(xué)性質(zhì),以滿足光刻機鏡頭的性能要求。常見的稀土光學(xué)玻璃種類包括:


含鑭(La)光學(xué)玻璃:鑭是提高玻璃折射率最有效的元素之一。在玻璃中摻雜鑭,可以顯著提高其折射率和阿貝數(shù),同時保持良好的透過率。含鑭光學(xué)玻璃廣泛應(yīng)用于DUV光刻機鏡頭中,例如,佳能、尼康等公司的DUV光刻機鏡頭中就使用了大量的含鑭光學(xué)玻璃。



佳能半導(dǎo)體光刻設(shè)備內(nèi)置圖像


含釔(Y)光學(xué)玻璃:釔與鑭類似,也可以提高玻璃的折射率,同時具有較好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。含釔光學(xué)玻璃常與含鑭光學(xué)玻璃配合使用,以進(jìn)一步優(yōu)化透鏡的光學(xué)性能。


含釓(Gd)光學(xué)玻璃:釓可以提高玻璃的折射率,并改善其色散特性。含釓光學(xué)玻璃常用于制造高精度光刻機鏡頭。


DUV光刻機鏡頭通常使用多種稀土光學(xué)玻璃組合,以實現(xiàn)高折射率、高透過率和低色散。例如,某些DUV光刻機鏡頭使用了8種不同的光學(xué)玻璃,其中大部分都含有稀土元素。


EUV光刻機鏡頭對光學(xué)材料的性能要求更高。由于EUV光波長極短,傳統(tǒng)的光學(xué)玻璃無法滿足其透過率要求。目前,EUV光刻機鏡頭主要采用反射式光學(xué)系統(tǒng),使用多層膜反射鏡,而不是透射式透鏡。但是為了提高反射鏡的性能,仍然需要在基底材料中摻雜稀土元素,以提高其熱穩(wěn)定性和抗輻射能力。


光刻膠


光刻膠是光刻工藝中用于轉(zhuǎn)移圖案的關(guān)鍵材料。它是一種對光敏感的聚合物,在光照后其溶解度會發(fā)生改變,從而實現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。稀土元素在光刻膠中通常以化合物的形式存在,例如氧化物、氟化物、有機配合物等。它們在光刻膠中的應(yīng)用主要基于以下幾個方面:


增強抗蝕刻能力:在芯片制造中,光刻膠需要承受嚴(yán)酷的等離子刻蝕環(huán)境,添加稀土化合物(如Ce的氧化物或氟化物)可以增強光刻膠的耐受性,減少圖案的變形和損壞,從而提高刻蝕精度和芯片良率。


提高光敏性:某些稀土元素(如Eu)的有機配合物可以作為光敏劑,提高光刻膠對特定波長光的敏感性。通過選擇合適的光敏劑,可以使光刻膠在特定波長下具有更高的光吸收效率,從而提高光刻的分辨率和靈敏度。


調(diào)整光刻膠的光學(xué)性質(zhì):稀土元素具有獨特的光學(xué)性質(zhì),可以通過在光刻膠中摻雜不同的稀土化合物來調(diào)整光刻膠的折射率、吸收系數(shù)等光學(xué)參數(shù)。這有助于優(yōu)化光刻過程中的光場分布,提高光刻的成像質(zhì)量。


稀土元素在晶圓拋光中的應(yīng)用


化學(xué)機械拋光(CMP)是芯片制造中用于實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。拋光過程中,首先是被拋工件表面與拋光液中的物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成一層相對容易去除的軟質(zhì)層;然后在拋光液中磨料和拋光墊的機械作用下去除軟質(zhì)層,使工件表面重新裸露出來,然后再進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),這樣在化學(xué)作用和機械作用的交替中完成工件表面拋光,進(jìn)而達(dá)到工件表面平坦化的目的。


化學(xué)機械拋光工作原理示意圖


CMP拋光液是由研磨顆粒、表面活性劑、氧化劑、pH調(diào)節(jié)劑和去離子水等均勻混合制成,其技術(shù)難點在于需要根據(jù)不同拋光對象和拋光環(huán)境來調(diào)整液體的配方組合。


拋光液磨料以無機氧化物納米顆粒為主,包括氧化鈰(CeO2)、氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化錳(MnO2)、氧化鋯(ZrO2)和金剛石等,可以進(jìn)行機械摩擦、吸附并去除腐蝕產(chǎn)物。


伴隨半導(dǎo)體器件小型化和精密化發(fā)展,需要更嚴(yán)格的CMP拋光性能,例如同時具有高去除率和低劃痕缺陷的高選擇性,以及自停止功能拋光液。CeO2具備良好的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的摩擦化學(xué)活性,對SiO2有強的親和力,可實現(xiàn)氧化硅的高效去除。


此外CeO2也是一種半導(dǎo)體光催化劑,存在可變價態(tài)(Ce4+和Ce3+)和豐富氧空位,結(jié)合了摩擦化學(xué)能力和光化學(xué)氧化活性,可應(yīng)用于光催化輔助的拋光。鑒于此,CeO2成為了層間介質(zhì)SiO2等氧化物的首選拋光磨料,受到廣泛關(guān)注和研究。


對于半導(dǎo)體(集成電路、芯片、光電子器件)制造過程而言,對拋光精度的要求越來越高,使用的氧化鈰通常都需達(dá)到納米級別,但我國目前能達(dá)到高精度拋光要求的氧化鈰漿料在全球占比不高。因此,許多科研工作者致力于開發(fā)出不同形貌、不同尺寸、具有優(yōu)異表面性質(zhì)的氧化鈰基納米顆粒,滿足終端領(lǐng)域的拋光要求。


稀土元素在磁性部件中的應(yīng)用


在光刻機等高端設(shè)備中,需要使用高性能的電機和磁力軸承來實現(xiàn)精確的運動控制。據(jù)中國稀土學(xué)會的專家們介紹,這些設(shè)備的運動精度通常需要達(dá)到納米甚至亞納米級別,因此對電機和軸承的性能提出了極高的要求。稀土永磁材料,如釹鐵硼(NdFeB)和釤鈷(SmCo),是制造這些高性能部件的關(guān)鍵材料,能夠滿足諸如:高磁能積、高矯頑力、高剩磁、良好的溫度穩(wěn)定性、高均勻性等嚴(yán)苛要求。


釹鐵硼永磁材料


釹鐵硼永磁材料具有極高的磁能積,是目前已知的磁性能最高的永磁材料之一。利用釹鐵硼材料可以制造出體積小、重量輕、功率大的高性能電機,驅(qū)動光刻機中的精密運動部件,實現(xiàn)精確對準(zhǔn)和掃描。隨著光刻技術(shù)的不斷發(fā)展,對運動控制的精度要求也越來越高,對釹鐵硼永磁材料的性能也提出了更高的要求。鐠、釹、鋱、鏑是制造高性能釹鐵硼的關(guān)鍵稀土元素。


釤鈷永磁材料


釤鈷永磁材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下磁性能衰減較小,適用于對溫度穩(wěn)定性要求較高的場合。在光刻機等設(shè)備中,由于長時間運行會產(chǎn)生大量的熱,因此對磁性部件的溫度穩(wěn)定性提出了較高的要求。含有稀土元素釤的釤鈷永磁材料能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的磁性能,從而保證設(shè)備的正常運行。


高純稀土靶材在集成電路中的應(yīng)用


隨著電子技術(shù)向高性能、多功能、大容量、微型化方向發(fā)展,半導(dǎo)體芯片集成度越來越高,晶體管尺寸越來越小,傳統(tǒng)的SiO2柵介質(zhì)薄膜就會存在漏電甚至絕緣失效的問題,目前采用鉿、鋯及稀土改性的稀有金屬氧化物薄膜解決核心漏電問題。如果進(jìn)一步降低線寬,則需采用更高介電常數(shù)的稀土柵介質(zhì)材料。


隨著我國28nm及以下高端集成電路生產(chǎn)工藝的突破和量產(chǎn),高純稀土金屬濺射靶材戰(zhàn)略需求急迫。隨著技術(shù)的提升和材料的更迭,高純稀土金屬及合金靶材在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用會爆發(fā)式增長。


參考來源:

[1]陳占恒等:稀土元素在芯片制造中的重要作用綜述,中國稀土學(xué)會

[2]楊麗等:稀土在電子功能材料領(lǐng)域的應(yīng)用,包頭稀土研究院

[3]范永宇:CeO2復(fù)合磨料制備及其在化學(xué)機械拋光中的應(yīng)用,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)

[4]丁林敏:鈰基氧化物材料及前驅(qū)體的合成及拋光性能研究,南昌大學(xué)


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安)

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