中國(guó)粉體網(wǎng)訊  超寬禁帶半導(dǎo)體材料金剛石在熱導(dǎo)率、載流子遷移率和擊穿場(chǎng)強(qiáng)等方面表現(xiàn)出優(yōu)異的性質(zhì)，在功率電子學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。實(shí)現(xiàn)p型和n型導(dǎo)電是制備金剛石半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)要求，目前P型金剛石半導(dǎo)體的制備工藝相對(duì)成熟，主要是在金剛石的生長(zhǎng)過(guò)程中引入B原子，而n型摻雜難度大。制備高質(zhì)量的p型和n型金剛石是研究者關(guān)注的焦點(diǎn)。

近年來(lái)，化合積電成功推動(dòng)硼摻雜單晶金剛石穩(wěn)定供貨，更重磅推出氮摻雜單晶金剛石新品，積極響應(yīng)國(guó)內(nèi)外科研團(tuán)隊(duì)在金剛石器件前沿探索中對(duì)高質(zhì)量單晶金剛石的迫切需求。

氮摻雜單晶金剛石（n型摻雜）集超高熱導(dǎo)率、高純度NV中心、低缺陷晶體層等核心性能于一體，可廣泛應(yīng)用于高功率電子、量子信息、生物成像與高端光子學(xué)等領(lǐng)域。化合積電在氮摻雜單晶金剛石的技術(shù)研發(fā)上持續(xù)發(fā)力，已實(shí)現(xiàn)濃度可控、可定制化的氮摻雜工藝，匹配客戶對(duì)電學(xué)、量子及光學(xué)性能的嚴(yán)苛需求。

氮摻雜單晶金剛石樣品

在硼摻雜方面，化合積電成功實(shí)現(xiàn)硼摻雜單晶金剛石從濃度（10¹⁵ cm^-3）到高濃度摻雜（10²⁰ cm^-3）大范圍調(diào)控，產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)驗(yàn)證并穩(wěn)定交付。公司也將持續(xù)迭代金剛石的摻硼性能，推進(jìn)p型金剛石的突破，為金剛石器件研發(fā)與應(yīng)用打開(kāi)無(wú)限可能。

硼摻雜單晶金剛石

化合積電（廈門(mén)）半導(dǎo)體科技有限公司成立于2020年11月，是一家專注于寬禁帶半導(dǎo)體襯底材料和器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)，致力于成為全球領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件制造商，匯聚了來(lái)自全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖科學(xué)家和資深工程師組成的科技創(chuàng)新隊(duì)伍，開(kāi)展相關(guān)領(lǐng)域前沿科學(xué)研究與關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，為我國(guó)破解“卡脖子”難題貢獻(xiàn)自身力量。公司主要產(chǎn)品包括：晶圓級(jí)金剛石襯底、金剛石熱沉片、GaN on Diamond、Diamond on GaN、硅基氮化鋁、藍(lán)寶石基氮化鋁、金剛石基氮化鋁等。

部分產(chǎn)品圖，圖源：化合積電

化合積電通過(guò)持續(xù)的產(chǎn)品創(chuàng)新，大幅加速了金剛石器件的研發(fā)與應(yīng)用進(jìn)程，為突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體瓶頸提供了核心支撐。未來(lái)，化合積電將持續(xù)深耕金剛石技術(shù)創(chuàng)新，以更前沿的技術(shù)研發(fā)、更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品供給，持續(xù)賦能金剛石半導(dǎo)體研究與產(chǎn)業(yè)化落地，為金剛石半導(dǎo)體研究進(jìn)程注入源源不斷的強(qiáng)勁動(dòng)能！

參考來(lái)源：

1.化合積電官網(wǎng)

2.�？蒲械龋�?jiǎn)尉Ы饎偸痯型和n型摻雜的研究

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/石語(yǔ)）

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