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常溫秒級(jí)合成納米金剛石!東京大學(xué)新成果


來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   石語(yǔ)

[導(dǎo)讀]  金剛烷經(jīng)電子束照射生成金剛石

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  金剛石因具有優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)、機(jī)械和熱學(xué)性能而備受關(guān)注。人造金剛石傳統(tǒng)合成方法需要極端高壓和高溫條件,這一過(guò)程不僅耗能巨大,也難以精準(zhǔn)控制?茖W(xué)家們一直夢(mèng)想著尋找更“溫和”的路徑。金剛烷與金剛石在結(jié)構(gòu)上頗為相似,二者都擁有對(duì)稱(chēng)的碳骨架,然而金剛烷轉(zhuǎn)化金剛石過(guò)程需要選擇性斷裂碳-氫(C-H)鍵并將單體組裝成金剛石晶格,這一過(guò)程存在挑戰(zhàn)。


東京大學(xué)Eiichi Nakamura教授聯(lián)合Takayuki Nakamuro教授首次利用電子束照射金剛烷微晶,在低溫、真空環(huán)境下,幾十秒內(nèi)就能生成無(wú)缺陷的立方相納米金剛石。相比傳統(tǒng)高溫高壓法,這一方法不僅條件溫和,還能直觀追蹤反應(yīng)過(guò)程,揭示金剛石形成的化學(xué)機(jī)制。相關(guān)成果以“Rapid,low-temperature nanodiamond formation by electron-beam activation of adamantane C-H bonds”為題發(fā)表在《Science》上。




研究團(tuán)隊(duì)利用高能電子束在真空低溫中轟擊金剛烷微晶,激發(fā)分子發(fā)生電離和斷鍵反應(yīng)。透射電子顯微鏡的實(shí)時(shí)成像顯示,金剛烷先形成低聚物(Adn),再逐步轉(zhuǎn)化為球形納米金剛石。與此同時(shí),氫氣大量釋放,印證了C-H鍵裂解在其中起到了關(guān)鍵作用。進(jìn)一步的對(duì)比實(shí)驗(yàn)也表明,只有具有四面體對(duì)稱(chēng)骨架的金剛烷最適合作為“積木”,而其他結(jié)構(gòu)如二金剛烷、苯基金剛烷或石蠟在相同條件下均無(wú)法生成納米金剛石。


金剛烷轉(zhuǎn)化為納米金剛石的化學(xué)難點(diǎn)與電子束激發(fā)機(jī)理示意圖


在低倍顯微鏡觀察中,科學(xué)家們還意外捕捉到了氫氣微泡的爆裂過(guò)程。當(dāng)電子束不斷驅(qū)動(dòng)反應(yīng),納米級(jí)氣泡驟然形成、膨脹并爆裂,帶動(dòng)周?chē)募{米金剛石重新排列。這種畫(huà)面酷似地?zé)崮酀{池中的氣泡翻涌,直觀呈現(xiàn)了氫氣釋放在反應(yīng)中的重要角色。團(tuán)隊(duì)借助電子能量損失譜(EELS)實(shí)時(shí)記錄了碳元素的鍵合狀態(tài)。隨著反應(yīng)進(jìn)行,金剛烷特有的C-C骨架信號(hào)逐漸消失,而C-H鍵的特征峰先是減弱,最終完全消退,取而代之的是典型金剛石的譜圖。尤其是在約296eV和325eV處出現(xiàn)的寬峰,與高溫高壓金剛石的信號(hào)高度一致,證明了這些產(chǎn)物確實(shí)是高質(zhì)量的立方納米金剛石。


顯微鏡下氫氣泡爆裂及能譜追蹤C(jī)-H斷裂和金剛石晶格生成過(guò)程


這項(xiàng)工作不僅展示了一種全新的金剛石合成途徑,更改寫(xiě)了我們對(duì)電子束化學(xué)的認(rèn)識(shí)。過(guò)去,電子束常被視作破壞有機(jī)物的“殺手”;而現(xiàn)在,它被證明能以受控方式激活化學(xué)反應(yīng),完成對(duì)稱(chēng)精準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)構(gòu)建。這些發(fā)現(xiàn)對(duì)電子光刻、表面工程和電子顯微鏡等領(lǐng)域有重要意義,也為高能粒子輻照驅(qū)動(dòng)的金剛石形成假設(shè)提供了實(shí)驗(yàn)支持。


參考來(lái)源:

1.高分子科學(xué)前沿

2.文章DOI:10.1126/science.adw2025


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/石語(yǔ))

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