隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域正快速滲透，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。同時(shí)，我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，碳化硅半導(dǎo)體將在我國(guó)5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

近年來，我國(guó)在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，但與國(guó)際先進(jìn)水平相比，在晶體生長(zhǎng)技術(shù)、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長(zhǎng)過程中面臨著晶體缺陷控制、生長(zhǎng)速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢(shì)下，快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問題，才能夠更好地占據(jù)未來碳化硅市場(chǎng)。

在此背景下，中國(guó)粉體網(wǎng)將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)，大會(huì)將匯聚國(guó)內(nèi)行業(yè)專家、學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長(zhǎng)工藝、關(guān)鍵原材料、生長(zhǎng)設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切、磨、拋技術(shù)等方面展開演講交流。合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司作為參展單位邀請(qǐng)您共同出席。

合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司成立于2020年，坐落于大湖名城——安徽合肥。公司目前注冊(cè)資金5.75億元，是一家專注第三代功率半導(dǎo)體材料碳化硅晶體生長(zhǎng)、襯底片、外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)。        

淵源于露笑科技藍(lán)寶石深厚的技術(shù)積淀、引進(jìn)國(guó)內(nèi)最早和最鼎尖的從事碳化硅晶體生長(zhǎng)研究的陳之戰(zhàn)博士技術(shù)團(tuán)隊(duì)，公司突破了高質(zhì)量碳化硅晶體生長(zhǎng)、高幾何精度及近零損傷表面加工關(guān)鍵技術(shù)，掌握了制造碳化硅長(zhǎng)晶爐的核心技術(shù)、襯底加工和清洗的系統(tǒng)解決方案，產(chǎn)品參數(shù)達(dá)到了P級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，已通過外延廠家批量驗(yàn)證。      

公司將全力布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，積極進(jìn)行自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)申請(qǐng)和保護(hù)，加強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用，致力于打造“晶體生長(zhǎng)——襯底——外延”一體化產(chǎn)業(yè)鏈，打破國(guó)外長(zhǎng)期行業(yè)技術(shù)封鎖和壟斷，為我國(guó)解決“卡脖子”技術(shù)工程貢獻(xiàn)力量，以推動(dòng)我國(guó)第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

產(chǎn)品介紹

1、SiC襯底片

新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目對(duì)于滿足國(guó)內(nèi)外快速增長(zhǎng)的6英寸、8英寸級(jí)別的碳化硅襯底片市場(chǎng)需求，促進(jìn)襯底片質(zhì)量與成品率水平的提升將發(fā)揮較為重要作用。

2、SiC晶體

碳化硅作為C和Si穩(wěn)定的化合物，其晶格結(jié)構(gòu)由致密排列的兩個(gè)亞晶格組成，每個(gè)Si(或C)原子與周邊包圍的C(Si)原子通過定向的強(qiáng)四面體sp3鍵結(jié)合，雖然SiC的四面體鍵很強(qiáng)，但層錯(cuò)形成能量卻很低，這一特點(diǎn)決定了SiC的多型體現(xiàn)象，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)SiC具有250多種多型體，每種多型體的C/Si雙原子層的堆垛次序不同。最常見的多型體為立方密排的3C-SiC和六角密排的4H、6H-SiC。不同的多型體具有不同的電學(xué)性能與光學(xué)性能。SiC的禁帶寬度為Si的2-3倍，熱導(dǎo)率約為Si的4.4倍，臨界擊穿電場(chǎng)約為Si的8倍，電子的飽和漂移速度為Si的2倍。SiC的這些性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導(dǎo)體器件的優(yōu)選材料，可應(yīng)用于大功率的電子轉(zhuǎn)換器及汽車馬達(dá)等領(lǐng)域的極端環(huán)境中。另外，采用SiC所制備的發(fā)光二極管的輻射波長(zhǎng)可以覆蓋從藍(lán)光到紫光的波段，在光信息顯示系統(tǒng)及光集成電路等領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。

3、PVT晶體生長(zhǎng)爐

晶體生長(zhǎng)：通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）生長(zhǎng)碳化硅晶體。

感應(yīng)將坩堝加熱至2,000℃以上，控制籽晶處溫度略低于下部微粉處，在坩堝內(nèi)形成軸向溫度梯度。碳化硅微粉在高溫下升華形成氣相的Si2C、SiC2、Si等物質(zhì)，在溫度梯度驅(qū)動(dòng)下到達(dá)溫度較低的籽晶處，并在其上結(jié)晶形成圓柱狀碳化硅晶錠。

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