中國(guó)粉體網(wǎng)訊 美國(guó)主要汽車(chē)行業(yè)芯片材料供應(yīng)商Coherent（原名II-VI）吸引了四家日本企業(yè)集團(tuán)對(duì)其碳化硅業(yè)務(wù)的投資興趣，據(jù)一位知情人士透露，這項(xiàng)業(yè)務(wù)估值高達(dá) 50 億美元。
這項(xiàng)投資將減輕Coherent公司的財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)，該公司表示將在未來(lái) 10 年內(nèi)投資 10 億美元擴(kuò)大碳化硅晶圓的生產(chǎn)，與傳統(tǒng)硅制造的芯片相比，這有助于提高電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程。
消息人士稱(chēng)，電裝公司、日立公司、三菱電機(jī)公司和住友電氣工業(yè)公司已就收購(gòu)Coherent公司碳化硅業(yè)務(wù)的少數(shù)股權(quán)進(jìn)行了討論說(shuō)。
消息人士補(bǔ)充道，Coherent公司可能會(huì)接受其中多家公司作為碳化硅部門(mén)的投資者，估值在 40 億至 50 億美元之間。由于此事屬于機(jī)密，該消息人士要求匿名。消息人士警告說(shuō)，沒(méi)有任何協(xié)議是確定的。
Coherent公司五月份表示將探索其碳化硅業(yè)務(wù)的選擇，但拒絕發(fā)表評(píng)論。日本公司的代表沒(méi)有立即回應(yīng)置評(píng)請(qǐng)求。
由碳化硅制成的芯片用于需要大量功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用，例如電動(dòng)汽車(chē)中的逆變器和傳動(dòng)系統(tǒng)。
三菱將在其價(jià)值 10 億美元的 200 毫米晶圓廠中使用Coherent 的SiC
三菱公司早前表示，將斥資 10 億美元（1000 億日元）在日本建設(shè) SiC 工廠，以提高電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)電力的產(chǎn)量，并與Coherent公司簽署了諒解備忘錄 (MOU)，以合作大規(guī)模制造 SiC 電力電子產(chǎn)品。
新工廠是到 2026 年之前 26 億美元（2600 億日元）投資的一部分，Coherent公司將為三菱電機(jī)未來(lái)在該工廠生產(chǎn)的 SiC 功率器件開(kāi)發(fā)供應(yīng) 200 毫米 n 型 4H SiC 基板。
Coherent公司于 2015 年展示了世界上第一款 200 毫米導(dǎo)電基板，并獲得了 GE II-VI 的 SiC 技術(shù)許可。2019 年，Coherent公司開(kāi)始根據(jù) REACTION（歐盟委員會(huì)資助的 Horizon 2020 四年期計(jì)劃）供應(yīng) 200 mm SiC 襯底。
“多年來(lái)，Coherent公司一直是三菱電機(jī)高質(zhì)量 150 mm SiC 晶圓基板的可靠供應(yīng)商，”三菱電機(jī)半導(dǎo)體與器件部執(zhí)行官兼集團(tuán)總裁 Masayoshi Takemi 說(shuō)道。“我們很高興與Coherent公司建立密切的合作伙伴關(guān)系，將我們各自的 SiC 制造平臺(tái)擴(kuò)展到 200 毫米�！�
三菱電機(jī)在高速列車(chē)、高壓工業(yè)應(yīng)用和家電領(lǐng)域的SiC功率模塊市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位，于2010年推出了全球首款空調(diào)用SiC功率模塊，并成為首家全SiC功率模塊供應(yīng)商2015年新干線高速列車(chē)。
“我們很高興與三菱電機(jī)建立合作關(guān)系，三菱電機(jī)是 SiC 功率器件領(lǐng)域的先驅(qū)，也是高速列車(chē)（包括日本著名的新干線）SiC 功率模塊的全球市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，”Coherent公司的新企業(yè)和寬帶隙電子技術(shù)的執(zhí)行副總裁 Sohail Khan 說(shuō)道�！拔覀�?cè)谙蛉怆姍C(jī)供應(yīng) SiC 襯底方面擁有悠久的歷史，并期待擴(kuò)大與他們的關(guān)系，以擴(kuò)展其新的 200 mm SiC 平臺(tái)�！�
II-VI 公司加速對(duì)碳化硅襯底和外延片制造的投資
去年三月，Coherent公司宣布，公司正在加快對(duì) 150 毫米和 200 毫米碳化硅 (SiC) 襯底和外延片制造的投資，并在伊斯頓進(jìn)行大規(guī)模工廠擴(kuò)建、賓夕法尼亞州和瑞典希斯塔。這是該公司此前宣布的未來(lái) 10 年內(nèi)對(duì) SiC 投資 10 億美元的一部分。
全球能源消耗脫碳的緊迫性正在加速“萬(wàn)物電氣化”，并通過(guò)采用碳化硅（SiC）推動(dòng)電力電子技術(shù)發(fā)生翻天覆地的變化。碳化硅是一種寬帶隙材料，可實(shí)現(xiàn)比硅基電力電子子系統(tǒng)更高效、更緊湊的電力電子子系統(tǒng)。為了滿(mǎn)足全球?qū)?SiC 電力電子不斷增長(zhǎng)的需求，II-VI 將在伊斯頓大力建設(shè)近 300,000 平方英尺的工廠，以擴(kuò)大其最先進(jìn)的 150 毫米和 200 毫米 SiC 襯底和外延的生產(chǎn)規(guī)模晶圓。Easton的150毫米和200毫米碳化硅襯底產(chǎn)量預(yù)計(jì)到2027年將達(dá)到相當(dāng)于每年100萬(wàn)片150毫米襯底，200毫米襯底的比例隨著時(shí)間的推移而不斷增長(zhǎng)。希斯塔擴(kuò)大外延片產(chǎn)能旨在服務(wù)歐洲市場(chǎng)。
Sohail Khan 表示：“我們的客戶(hù)正在加速實(shí)施他們的計(jì)劃，以應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車(chē)中碳化硅電力電子器件的預(yù)期需求浪潮，我們預(yù)計(jì)電動(dòng)汽車(chē)將緊隨當(dāng)前工業(yè)、可再生能源、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的采用周期�！毙聞�(chuàng)企業(yè)和寬帶隙電子技術(shù)執(zhí)行副總裁。“伊斯頓工廠將在未來(lái)五年內(nèi)將 II-VI 的 SiC 襯底產(chǎn)量提高至少六倍，同時(shí)也將成為 II-VI 200 毫米 SiC 外延片的旗艦制造中心，是全球最大的 200 毫米 SiC 外延片制造中心之一�！�
II-VI 將利用其在 Kista 開(kāi)發(fā)的業(yè)界領(lǐng)先的外延晶圓技術(shù)。該技術(shù)的獨(dú)特之處在于能夠在單個(gè)或多個(gè)再生長(zhǎng)步驟中實(shí)現(xiàn)厚層結(jié)構(gòu)，非常適合 1 kV 以上應(yīng)用中的功率器件。
伊斯頓工廠將由基于燃料電池技術(shù)的不間斷且可擴(kuò)展的微電網(wǎng)供電，以提供高度的供應(yīng)保證。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除
