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【原創(chuàng)】氧化鎵可以在碳化硅、氮化鎵不能勝任的領(lǐng)域發(fā)光發(fā)熱——訪上海光機(jī)所夏長泰研究員


來源:中國粉體網(wǎng)   山川

[導(dǎo)讀]  相比碳化硅、氮化鎵,氧化鎵的優(yōu)勢在哪?

中國粉體網(wǎng)訊  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是關(guān)乎國家經(jīng)濟(jì),政治和國防安全的戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,先進(jìn)陶瓷的研發(fā)與生產(chǎn)水平直接影響我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。因此,無論從經(jīng)濟(jì)安全角度還是產(chǎn)業(yè)成本考慮,要突破我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨“卡脖子”的窘境,必須重視先進(jìn)陶瓷的發(fā)展。2023年6月14日,由中國粉體網(wǎng)主辦的“第二屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會(huì)”在江蘇蘇州隆重開幕,會(huì)議期間,我們邀請(qǐng)到眾多專家學(xué)者做客“對(duì)話”欄目,圍繞先進(jìn)陶瓷在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用研究進(jìn)行訪談交流。本期,我們邀請(qǐng)到的是上海光機(jī)所的夏長泰研究員。



中國粉體網(wǎng):去年的8月份,美國商務(wù)部工業(yè)和安全局曾發(fā)布一項(xiàng)臨時(shí)最終規(guī)定,對(duì)包括氧化鎵在內(nèi)的4項(xiàng)“新興和基礎(chǔ)技術(shù)”實(shí)施出口管制。請(qǐng)問夏老師,氧化鎵為何會(huì)被如此重視?它的應(yīng)用價(jià)值有多大?


夏長泰研究員:關(guān)于美國在該方面的管制我也了解過,氧化鎵和金剛石之所以被列為管制材料,這兩種材料都是高端的電力電子器件的材料,我們國內(nèi)稱之為第四代半導(dǎo)體。另外,因?yàn)檠趸壟c金剛石實(shí)際上作為器件來講才剛剛起步,所以現(xiàn)在主要是對(duì)單晶襯底進(jìn)行出口管制。氧化鎵尤其特殊,因?yàn)檠趸壸鳛榘雽?dǎo)體材料除了物理性能好之外,它還可以采用如同拉制單晶硅與藍(lán)寶石的方法進(jìn)行制備,而其它的寬禁帶半導(dǎo)體不具備這個(gè)條件,同樣金剛石也沒有這個(gè)條件。就是說,氧化鎵可以容易地獲得單晶襯底,那么有了同質(zhì)襯底,這在做氧化鎵器件的時(shí)候是一個(gè)非常大的優(yōu)勢。


中國粉體網(wǎng):請(qǐng)問夏老師,氧化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈涉及哪些關(guān)鍵環(huán)節(jié)?


夏長泰研究員:氧化鎵的產(chǎn)業(yè)鏈與其它半導(dǎo)體,例如硅、碳化硅、氮化鎵等半導(dǎo)體基本上是一致的。最開始是襯底,接下來是外延,下面是器件,器件模塊及應(yīng)用。實(shí)際上在生長單晶前面還有氧化鎵粉體的制備,這是產(chǎn)業(yè)鏈最前面的環(huán)節(jié),我們也應(yīng)該加大力度研究。我了解到,比如說日本把我們的氧化鎵粉買過去,我們再高價(jià)買他們加工過的高純氧化鎵粉,這就提醒我們要加大力度把高端的氧化鎵原料做好。


中國粉體網(wǎng):夏老師,有人認(rèn)為未來氧化鎵器件將會(huì)直接與碳化硅器件競爭,甚至是替代碳化硅和氮化鎵,對(duì)此您怎么看?


夏長泰研究員:這里面競爭肯定是有的,從它們的物理特性來講,氧化鎵的禁帶寬度比碳化硅、氮化鎵要大,碳化硅、氮化鎵的禁帶寬度是3.5左右,而氧化鎵的禁帶寬度接近5,那么它們的禁帶寬度差別大就意味著氧化鎵器件的耐壓特性會(huì)比碳化硅、氮化鎵更強(qiáng),所以說氧化鎵可以在碳化硅、氮化鎵不能勝任的領(lǐng)域發(fā)揮自己的優(yōu)勢,即它可以在更高電壓、更大功率的環(huán)境中應(yīng)用。說取代這一般是不可能的,因?yàn)樵跉v史上我們很少看到比如一個(gè)新的半導(dǎo)體出來之后取代前面的半導(dǎo)體。另外,就氧化鎵來講,實(shí)際上它的產(chǎn)業(yè)化才剛剛開始,日本才剛剛有器件的產(chǎn)業(yè)化,后面還有很大的發(fā)展空間。


中國粉體網(wǎng):請(qǐng)問夏老師,目前我國氧化鎵半導(dǎo)體的研究及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展如何?面臨的困難有哪些?


夏長泰研究員:現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)化才剛剛開始,主要是在晶體方面,做器件的還比較少。單晶產(chǎn)業(yè)化方面其實(shí)我們國家挺活躍的,相關(guān)公司的數(shù)量可能比國外的總和都多,這是一件好事,希望我們能盡快解決單晶的國產(chǎn)化。一旦擁有自己的單晶襯底,氧化鎵半導(dǎo)體器件的研究及其產(chǎn)業(yè)化會(huì)大大加速。


中國粉體網(wǎng):據(jù)您了解,目前世界各國對(duì)氧化鎵都有怎樣的布局?進(jìn)展如何?


夏長泰研究員:2022年,美國、歐洲和日本等發(fā)達(dá)國家三十幾位頂級(jí)科研人員寫了一篇相關(guān)綜述,涉及發(fā)展路線圖,我們可以看出他們對(duì)未來氧化鎵半導(dǎo)體發(fā)展的預(yù)測。實(shí)際上國外在研究方面的相互聯(lián)系可能比我們國內(nèi)更多一些,我們國內(nèi)好像很少有頂級(jí)的科學(xué)家寫這么一個(gè)氧化鎵的發(fā)展路線圖,多數(shù)情況下我們在做的是參考國外。


中國粉體網(wǎng):目前進(jìn)展最快的應(yīng)該就是日本,他們的研究進(jìn)展如何,比我們高在什么地方?


夏長泰研究員:氧化鎵首先是日本人提出來的,其實(shí)當(dāng)年最早提出來不是說它本身作為半導(dǎo)體。2004年氧化鎵被提出來,說氧化鎵單晶可以作為氮化鎵的襯底,當(dāng)時(shí)氮化鎵LED非常熱,氧化鎵作為襯底可以做成導(dǎo)電襯底。氮化鎵的襯底主要是藍(lán)寶石,而藍(lán)寶石不導(dǎo)電,那么藍(lán)寶石做襯底時(shí),作電極只能做在同一側(cè),同時(shí)一部分長好的氮化鎵還需要被切除掉。如果用氧化鎵做襯底,導(dǎo)電的襯底會(huì)令器件結(jié)構(gòu)變得簡單,這對(duì)LED的功率提升等都是有好處的。后來,到了2012年左右才發(fā)現(xiàn)氧化鎵本身是一種很好的半導(dǎo)體材料,此后,氧化鎵成為了世界研究熱點(diǎn)。日本在氧化鎵方面始終走在最前面,現(xiàn)在已經(jīng)有器件產(chǎn)業(yè)化,國際上,90%以上的氧化鎵單晶襯底出自日本。他們的優(yōu)勢首先是氧化鎵是他們最先提出的,其次,從一開始,即自2004年就有公司參與,也就是說,他們很早就針對(duì)產(chǎn)業(yè)化而開展研究。另外,日本在材料研究方面整體實(shí)力也很強(qiáng)。


中國粉體網(wǎng):好的,感謝夏老師接受我們的采訪。


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

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作者:山川

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