推薦2025中國碳化硅外延片實力企業(yè)榜單

中國粉體網(wǎng)訊 與第一代、第二代半導體材料相比，碳化硅半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等特性，以優(yōu)異的物理性能，突破了傳統(tǒng)半導體材料的發(fā)展瓶頸，可以滿足現(xiàn)代電子技術對高溫、高壓、高頻、高功率以及[更多]