推薦氮化硅薄膜——集成電路制造至關重要的介質材料

中國粉體網(wǎng)訊 氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應用廣泛的介質材料。作為非晶絕緣物質，氮化硅膜的介質特性優(yōu)于二氧化硅膜，具有對可動離子阻擋能力強、結構致密、針孔密度小、化學穩(wěn)定性好、介電常數(shù)高等優(yōu)點，在集成電路制造領域被廣泛用作[更多]