中國粉體網(wǎng)訊 6月17日，科友半導體宣布，以其自主設備和技術研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實現(xiàn)突破，達到32.146mm，業(yè)內領先。此外，其自主研發(fā)的SiC長晶爐（感應）已有99%的部件實現(xiàn)國產替代。據(jù)悉，科友半導體從201[更多]
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