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1萬(wàn)元以下型號(hào)
QZ-0051品牌
江蘇秋正新材產(chǎn)地
連云港樣本
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玻璃網(wǎng)絡(luò)主體結(jié)構(gòu)
（1）鉍基網(wǎng)絡(luò)骨架
核心角色：Bi3?離子作為網(wǎng)絡(luò)形成體
結(jié)構(gòu)特性：
Bi3?具有高極化率和孤電子對(duì)效應(yīng)，形成[BiO?]三角錐體或[BiO?]八面體結(jié)構(gòu)單元
相較于傳統(tǒng)硅酸鹽玻璃（Si-O鍵能≈466kJ/mol），Bi-O鍵能顯著降低（≈150kJ/mol），削弱網(wǎng)絡(luò)強(qiáng)度→導(dǎo)致熔點(diǎn)下降
低溫熔融機(jī)理：
鉍離子（Bi3?）的高離子半徑（1.03?）與低場(chǎng)強(qiáng)（電荷/半徑2=2.9），使玻璃網(wǎng)絡(luò)更易在熱能作用下解聚，實(shí)現(xiàn)260–280℃軟化
（2）改性劑作用
元素 | 網(wǎng)絡(luò)角色 | 對(duì)熔點(diǎn)的貢獻(xiàn)機(jī)制 |
B | 網(wǎng)絡(luò)形成體 | 形成[BO?]三角體/[BO?]四面體，穿插于鉍網(wǎng)絡(luò)間隙，增強(qiáng)穩(wěn)定性而不顯著提高熔點(diǎn) |
Si | 網(wǎng)絡(luò)形成體 | [SiO?]四面體提供骨架支撐，但含量較低（<10wt%），避免過(guò)度提高熔融粘度 |
Cu/Zn | 網(wǎng)絡(luò)修飾體 | ?Cu?/Zn2?打斷Bi-O長(zhǎng)鏈，降低聚合度 ?形成低共熔物（如Bi?O?-CuO共熔點(diǎn)≈700℃）→ 協(xié)同降低軟化點(diǎn) |
化學(xué)穩(wěn)定性
（1）硼-硅協(xié)同鈍化作用
硼的貢獻(xiàn)：
適量B?O?形成[BO?]四面體，填補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)空隙→減少水解位點(diǎn)
在表面生成硼酸鈍化層（H?BO?），抑制介質(zhì)侵蝕
硅的增強(qiáng)：
[SiO?]四面體與[BiO?]單元交聯(lián)→形成Bi-O-Si鍵，抵抗酸/堿攻擊（尤其在pH4–10區(qū)間）
（2）鋁的界面封鎖效應(yīng)
Al3?進(jìn)入網(wǎng)絡(luò)空隙形成[AlO?]四面體→強(qiáng)化網(wǎng)絡(luò)邊緣結(jié)構(gòu)
高溫下遷移至玻璃表面，生成Al-O鈍化層，阻斷腐蝕離子擴(kuò)散
指標(biāo) | 參數(shù)范圍/特性描述 |
軟化點(diǎn) | 260–280℃ |
融化點(diǎn) | 320–330℃ |
熱膨脹系數(shù)(CTE) | 可調(diào)范圍為7–9×10??/K（匹配常用基板） |
化學(xué)穩(wěn)定性 | 耐酸堿腐蝕（pH3–11環(huán)境穩(wěn)定） |
封接強(qiáng)度 | ≥25MPa（Al?O?陶瓷界面測(cè)試） |
核心優(yōu)勢(shì)
1.低溫工藝兼容性→260-280℃軟化點(diǎn),320-330℃融化點(diǎn)顯著降低熱耗能，兼容聚合物基板、敏感電子元件封裝。
2.高可靠性界面→Cu/Zn協(xié)同作用形成致密封接層，氣密性達(dá)10??Pa·m3/s級(jí)（氦檢漏）。
3.寬幅熱膨脹調(diào)控→通過(guò)Cu/Zn比例調(diào)整，精準(zhǔn)匹配陶瓷/金屬/硅基材料（如LTCC、銅引線(xiàn)框架）。
典型應(yīng)用場(chǎng)景
應(yīng)用領(lǐng)域 | 適配器件類(lèi)型 | 解決痛點(diǎn) |
電子漿料 | 太陽(yáng)能電池背電極、MLCC端銀漿 | 低溫?zé)Y(jié)避免銀遷移，提升附著力 |
傳感器封裝 | MEMS壓力/氣體傳感器真空腔體密封 | 低溫氣密封接保護(hù)敏感結(jié)構(gòu) |
光電器件 | LED芯片封裝、紅外濾光片粘接 | 抑制熱損傷，保持光學(xué)透明度 |
真空器件 | 真空繼電器、X射線(xiàn)管絕緣環(huán)封接 | 高氣密性保障長(zhǎng)期真空度 |
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江蘇秋正新材料研發(fā)出一款低溫玻璃粉，其主要成分為氧化鉍（Bi?O?）和氧化硼（B?O?），并添加了少量的氧化硅（SiO?）、氧化鋁（Al?O?）以及微量氧化銅（CuO），具有顯著的低溫熔融和軟化特性，
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