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一．設備概述：

LPCVD低壓化學氣相淀積設備是半導體集成電路制造的重要工序之一，本設備主要用于：4-8英寸硅片SiO2-LTO TEOS、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、BPSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅薄膜的生長。它是將原材料氣體（或者液態(tài)源氣化）用熱能激活發(fā)生化學反應而在基片表面生成固體薄膜。低壓化學氣相淀積是在低壓下進行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,而且基片可以豎放而裝片量大，特別適用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業(yè)的工業(yè)化生產(chǎn)專用設備，采用電腦工控機軟件控制方式，是其性能技術指標已經(jīng)達到國際先進技術水平。

二．設備類型參數(shù)：

三、設備主要特點和優(yōu)勢

1★具有強大的操作功能，windows界面，顯示屏操作，用戶可以方便地修改工藝控制參數(shù)，并可隨時顯示各種工藝狀態(tài)；配有故障自診斷軟件，可大大節(jié)省維修時間；

2★采用高可靠性工控機+PLC模式，對爐溫、進退舟、氣體流量、閥門等進行全自動控制,實現(xiàn)全部工藝過程自動化；

3★程序可以實現(xiàn)手/自動工作，在停電或中途停機后，再次啟動可以根據(jù)工藝手動升溫，節(jié)省工藝時間；

4★具有多種工藝管路，可供用戶方便選擇；

5★冷端采用PT100檢測環(huán)境溫度進行溫度補償，避免環(huán)境溫度變化，對爐膛溫度產(chǎn)生影響，避免層間干擾；

6★推拉舟裝載采用SIC懸臂漿，避免與工藝管摩擦產(chǎn)生粉塵，推拉舟運行完一個周期，自動校準位置，有效防止定位偏差； 

7★氣體流量采用數(shù)字化精確控制，采用模擬信號閉環(huán)控制，強弱電分開，各種數(shù)據(jù)交互采用標準總線，提高抗干擾能力，保證數(shù)據(jù)安全；氣體打開具有緩啟動功能；

8★具有多種報警功能及安全保護功能；
9★恒溫區(qū)自動調整，串級控制，可準確控制反應管的實際工藝溫度；

三、設備主要特點和優(yōu)勢

1★具有強大的操作功能，windows界面，顯示屏操作，用戶可以方便地修改工藝控制參數(shù)，并可隨時顯示各種工藝狀態(tài)；配有故障自診斷軟件，可大大節(jié)省維修時間；

2★采用高可靠性工控機+PLC模式，對爐溫、進退舟、氣體流量、閥門等進行全自動控制,實現(xiàn)全部工藝過程自動化；

3★程序可以實現(xiàn)手/自動工作，在停電或中途停機后，再次啟動可以根據(jù)工藝手動升溫，節(jié)省工藝時間；

4★具有多種工藝管路，可供用戶方便選擇；

5★冷端采用PT100檢測環(huán)境溫度進行溫度補償，避免環(huán)境溫度變化，對爐膛溫度產(chǎn)生影響，避免層間干擾；

6★推拉舟裝載采用SIC懸臂漿，避免與工藝管摩擦產(chǎn)生粉塵，推拉舟運行完一個周期，自動校準位置，有效防止定位偏差； 

7★氣體流量采用數(shù)字化精確控制，采用模擬信號閉環(huán)控制，強弱電分開，各種數(shù)據(jù)交互采用標準總線，提高抗干擾能力，保證數(shù)據(jù)安全；氣體打開具有緩啟動功能；

8★具有多種報警功能及安全保護功能；
9★恒溫區(qū)自動調整，串級控制，可準確控制反應管的實際工藝溫度；