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國(guó)儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹隨著芯片集成度不斷攀升，芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號(hào)傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時(shí)，Al 互連導(dǎo)線中的電子持續(xù)流動(dòng)，會(huì)對(duì)金屬原子產(chǎn)生作用力，引發(fā)電遷移現(xiàn)象。電遷移可能致使 Al 原子移動(dòng)并聚集，進(jìn)而在互連導(dǎo)線中形成空洞。這些空洞一旦出現(xiàn)，會(huì)增大導(dǎo)線電阻，阻礙電流傳輸，嚴(yán)重時(shí)甚至導(dǎo)致電路斷路，使芯片失效。據(jù)...

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發(fā)表于：2025-03-25 訪問量：568次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在芯片制造工藝中，金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性，對(duì)芯片的性能和可靠性起著決定性作用。然而，刻蝕過程中不可避免地會(huì)產(chǎn)生刻蝕殘留，這些殘留物質(zhì)可能是未完全刻蝕掉的金屬材料、刻蝕副產(chǎn)物或光刻膠殘留。金屬柵極刻蝕殘留會(huì)嚴(yán)重影響芯片的電學(xué)性能，導(dǎo)致漏電、信號(hào)傳輸延遲等問題，降低芯片的良品率...

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發(fā)表于：2025-03-25 訪問量：571次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
碳納米管導(dǎo)電漿料生產(chǎn)解決方案——納米砂磨機(jī)

碳納米管漿料是一種具有特殊性能和廣泛應(yīng)用前景的材料，以下是主要原料：碳納米管N-甲基吡咯烷酮（NMP，常用溶劑)單壁碳納米管（左）多壁碳納米管（右）碳納米管，也叫巴基管，是特殊的一維量子材料，徑向?yàn)榧{米級(jí)、軸向?yàn)槲⒚准?jí)，兩端基本封口，由石墨烯片卷曲而成。按層數(shù)分為單壁（SWCNTs）與多壁（MWCNTs）。N - 甲基吡咯烷酮簡(jiǎn)稱 NMP ，是無(wú)色透明油狀液體，有微胺味。其密度 1.028（25 度），粘度低、穩(wěn)定性...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：760次來源：上海易勒機(jī)電設(shè)備有限公司
醇鋁法鋁溶膠的優(yōu)劣勢(shì)

?優(yōu)勢(shì)??高純度?：避免金屬雜質(zhì)干擾，適用于精密領(lǐng)域（如催化劑、光學(xué)涂層）?。?可控性?：通過調(diào)節(jié)水解溫度、膠溶劑種類及用量，可精準(zhǔn)調(diào)控溶膠性能?。?功能多樣性?：兼具粘結(jié)、抗靜電、耐高溫等特性，應(yīng)用場(chǎng)景廣泛?。?局限性??原料成本高?：有機(jī)鋁鹽易燃、有毒且價(jià)格昂貴，工業(yè)化生產(chǎn)受限?。?工藝復(fù)雜?：需嚴(yán)格控制水解速率，避免劇烈反應(yīng)導(dǎo)致沉淀過快或團(tuán)聚?。?環(huán)保壓力?：醇類溶劑回收困難，存在廢液處理難題?。主要應(yīng)用領(lǐng)域?...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：684次來源：揚(yáng)州中天利新材料股份有限公司
氫氧化鈣生產(chǎn)中的環(huán)保設(shè)備

氫氧化鈣生產(chǎn)中的環(huán)保設(shè)備是確保生產(chǎn)過程符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)、減少污染排放的關(guān)鍵部分。以下是氫氧化鈣生產(chǎn)中常見的環(huán)保設(shè)備及其作用：1. 廢氣處理設(shè)備氫氧化鈣生產(chǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生大量廢氣，主要成分包括二氧化碳、二氧化硫和粉塵。廢氣處理設(shè)備用于凈化這些廢氣，減少對(duì)環(huán)境的污染。脫硫塔：用于去除廢氣中的二氧化硫，常見的有濕法脫硫和干法脫硫。除塵器：用于去除廢氣中的粉塵，常見的有布袋除塵器、電除塵器和旋風(fēng)除塵器?；钚蕴课窖b置：用...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：421次來源：桂林礦山機(jī)械有限公司
浪聲SuperSEM N10eX掃描電鏡：助力3D增材制造領(lǐng)域的微觀探索

在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，3D增材制造技術(shù)正以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域掀起一場(chǎng)制造革命。從航空航天的復(fù)雜零部件制造到生物醫(yī)學(xué)的個(gè)性化植入體，從高端機(jī)械制造到文化創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)的定制化產(chǎn)品，3D增材制造技術(shù)憑借其能夠?qū)崿F(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)一體化成型、快速響應(yīng)設(shè)計(jì)變更、降低材料浪費(fèi)等諸多優(yōu)點(diǎn)，展現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿ΑＨ欢?，隨著3D增材制造技術(shù)的不斷深化，對(duì)其制造過程中的微觀結(jié)構(gòu)與性能分析提出了更高的要求。浪聲SuperSEM N10eX掃描...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：876次來源：蘇州浪聲科學(xué)儀器有限公司
走進(jìn)電化學(xué) | 如何用DCIR測(cè)試讓鋰電性能“整齊劃一”？

前言隨著鋰離子電池在電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)的大規(guī)模應(yīng)用，電池組內(nèi)單體電芯的一致性成為影響整體性能與壽命的核心因素。直流內(nèi)阻（DCIR）作為衡量電池健康狀態(tài)和功率特性的關(guān)鍵參數(shù)，其測(cè)試方法的精度與效率直接決定了電池分選和成組優(yōu)化的效果。DCIR反映了鋰離子電池內(nèi)部離子遷移和電子傳導(dǎo)的綜合阻力，其數(shù)值與電池的極化特性、老化程度密切相關(guān)。在動(dòng)力電池模組中，若單體電芯DCIR差異超過5%，可能導(dǎo)致充放電過程中電芯間電流分布不均...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：1709次來源：元能科技（廈門）有限公司
國(guó)儀量子電鏡在 FinFET 鰭片 CD 臨界尺寸測(cè)量的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在 FinFET 鰭片 CD 臨界尺寸測(cè)量的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，隨著摩爾定律的不斷演進(jìn)，芯片制程工藝持續(xù)向更小的特征尺寸發(fā)展。FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)作為一種突破性的晶體管架構(gòu)，已成為實(shí)現(xiàn)芯片高性能、低功耗的關(guān)鍵技術(shù)之一。FinFET 通過在硅襯底上生長(zhǎng)出垂直的鰭片結(jié)構(gòu)，顯著增加了溝道表面積，有效提升了晶體管的開關(guān)速度和電流驅(qū)動(dòng)能力，降低了漏電功耗。鰭片的 CD（Crit...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：437次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在 GaN HEMT 器件柵極凹槽形貌分析的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在 GaN HEMT 器件柵極凹槽形貌分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在現(xiàn)代功率電子與微波射頻領(lǐng)域，氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）器件憑借其高電子遷移率、高擊穿電場(chǎng)、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異特性，成為提升系統(tǒng)效率、實(shí)現(xiàn)小型化與高性能化的關(guān)鍵組件。在 5G 基站的射頻功率放大器中，GaN HEMT 器件能夠高效處理高頻信號(hào)，提高信號(hào)傳輸質(zhì)量；在新能源汽車的車載充電器和逆變器里，可大幅提升電能轉(zhuǎn)換效率。柵極作...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：380次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在 MEMS 加速度計(jì)懸臂梁應(yīng)力觀測(cè)的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在 MEMS 加速度計(jì)懸臂梁應(yīng)力觀測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在現(xiàn)代傳感技術(shù)領(lǐng)域，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）加速度計(jì)憑借其體積小、重量輕、功耗低以及高靈敏度等優(yōu)勢(shì)，在汽車安全系統(tǒng)、智能手機(jī)、航空航天等諸多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在汽車的安全氣囊觸發(fā)系統(tǒng)中，MEMS 加速度計(jì)能夠快速精準(zhǔn)地檢測(cè)車輛的加速度變化，及時(shí)觸發(fā)安全氣囊，保障駕乘人員安全；在智能手機(jī)里，它助力實(shí)現(xiàn)屏幕自動(dòng)旋轉(zhuǎn)、運(yùn)動(dòng)追蹤等功能。MEMS 加速度計(jì)的核...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：331次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在半導(dǎo)體納米線直徑均勻性統(tǒng)計(jì)的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在半導(dǎo)體納米線直徑均勻性統(tǒng)計(jì)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹半導(dǎo)體納米線作為納米電子學(xué)和納米光子學(xué)領(lǐng)域的關(guān)鍵材料，因其獨(dú)特的量子尺寸效應(yīng)和優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)性能，在高性能晶體管、傳感器、發(fā)光二極管等眾多器件中展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。半導(dǎo)體納米線的直徑均勻性對(duì)其性能起著至關(guān)重要的作用，微小的直徑變化會(huì)顯著影響納米線的電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)特性。例如，在納米線晶體管中，直徑的不均勻會(huì)導(dǎo)致載流子遷移率不一致，進(jìn)而影響器...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：315次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在晶圓級(jí)封裝微凸點(diǎn)共晶融合觀測(cè)的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在晶圓級(jí)封裝微凸點(diǎn)共晶融合觀測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向小型化、高性能化邁進(jìn)的進(jìn)程中，晶圓級(jí)封裝（WLP）技術(shù)憑借其能有效縮小芯片尺寸、降低成本以及提升電氣性能等顯著優(yōu)勢(shì)，成為先進(jìn)封裝領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。WLP 直接在晶圓上進(jìn)行封裝操作，相較于傳統(tǒng)封裝方式，減少了封裝層級(jí)，縮短了信號(hào)傳輸路徑，極大提升了芯片的電學(xué)性能。在智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備等對(duì)空間和性能要求極高的電子產(chǎn)品中，WLP 技術(shù)廣泛應(yīng)用...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：340次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在晶圓鍵合界面微空隙統(tǒng)計(jì)的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在晶圓鍵合界面微空隙統(tǒng)計(jì)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓鍵合技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)芯片集成與封裝的關(guān)鍵工藝，廣泛應(yīng)用于 3D 芯片堆疊、系統(tǒng)級(jí)封裝等先進(jìn)制程。通過將兩片或多片晶圓在原子層面上結(jié)合，晶圓鍵合能夠?qū)崿F(xiàn)芯片間的電氣連接、機(jī)械支撐以及信號(hào)傳輸，極大提升芯片的性能與集成度。然而，在晶圓鍵合過程中，鍵合界面常出現(xiàn)微空隙現(xiàn)象。這些微空隙是指鍵合界面處未完全結(jié)合的微小空洞，其產(chǎn)生原因復(fù)雜，涉及晶圓表面粗...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：306次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子電鏡在抗輻射器件柵氧經(jīng)時(shí)擊穿分析的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在抗輻射器件柵氧經(jīng)時(shí)擊穿分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在航天、軍事等高輻射環(huán)境下，電子設(shè)備需具備強(qiáng)大的抗輻射能力?？馆椛淦骷械臇叛鯇邮潜Ｕ掀骷＿\(yùn)行的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，然而，長(zhǎng)期處于輻射環(huán)境中，柵氧層會(huì)逐漸積累輻射損傷，最終導(dǎo)致經(jīng)時(shí)擊穿，使器件失效。準(zhǔn)確分析柵氧經(jīng)時(shí)擊穿的過程和機(jī)制，對(duì)提升抗輻射器件的可靠性、延長(zhǎng)其使用壽命意義重大。傳統(tǒng)分析方法難以在微觀層面清晰呈現(xiàn)柵氧擊穿的細(xì)節(jié)，限制了對(duì)相關(guān)失效機(jī)制...

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發(fā)表于：2025-03-24 訪問量：281次來源：國(guó)儀量子技術(shù)（合肥）股份有限公司
國(guó)儀量子鎢燈絲掃描電鏡電鏡在磁存儲(chǔ)器 MTJ 隧道結(jié)界面分析的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在磁存儲(chǔ)器 MTJ 隧道結(jié)界面分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在信息存儲(chǔ)技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，磁存儲(chǔ)器憑借其高存儲(chǔ)密度、低功耗和快速讀寫的優(yōu)勢(shì)，成為存儲(chǔ)領(lǐng)域的關(guān)鍵力量。磁性隧道結(jié)（MTJ）作為磁存儲(chǔ)器的核心部件，其隧道結(jié)界面的質(zhì)量對(duì)磁存儲(chǔ)器的性能起著決定性作用。MTJ 隧道結(jié)界面的原子排列、粗糙度以及元素?cái)U(kuò)散情況等，都會(huì)影響電子的隧穿效率，進(jìn)而影響磁存儲(chǔ)器的讀寫速度、存儲(chǔ)密度和穩(wěn)定性。因此，深入分析 ...

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國(guó)儀量子鎢燈絲掃描電鏡在低 k 介質(zhì)材料孔隙率分析的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在低 k 介質(zhì)材料孔隙率分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，隨著芯片集成度不斷提高，信號(hào)傳輸過程中的互連線電容問題日益凸顯。低 k 介質(zhì)材料因其具有較低的介電常數(shù)，能夠有效降低互連線之間的電容耦合，減少信號(hào)延遲和功耗，成為先進(jìn)芯片制造中不可或缺的關(guān)鍵材料。在高性能處理器、存儲(chǔ)芯片等的制造過程中，低 k 介質(zhì)材料被廣泛應(yīng)用于絕緣層，以提升芯片的性能和可靠性。然而，低 k 介質(zhì)材料的孔隙率對(duì)其性能...

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國(guó)儀量子電鏡在功率器件溝槽柵氧完整性檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告

一、背景介紹在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率器件承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換與控制的關(guān)鍵任務(wù)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化等諸多領(lǐng)域。以新能源汽車為例，功率器件在逆變器中實(shí)現(xiàn)直流電到交流電的轉(zhuǎn)換，驅(qū)動(dòng)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)；在智能電網(wǎng)中，用于高效的電能分配與調(diào)節(jié)。溝槽柵結(jié)構(gòu)因能有效提高功率器件的開關(guān)速度、降低導(dǎo)通電阻，從而提升功率密度和轉(zhuǎn)換效率，成為功率器件的主流設(shè)計(jì)。其中，溝槽柵氧作為隔離柵極與半導(dǎo)體溝道的關(guān)鍵絕緣層，其完整性對(duì)功率器...

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國(guó)儀量子鎢燈絲掃描電鏡在光電子器件鍵合絲形變分析的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在光電子器件鍵合絲形變分析的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在當(dāng)今數(shù)字化信息時(shí)代，光電子器件廣泛應(yīng)用于光通信、光傳感、消費(fèi)電子等諸多領(lǐng)域，成為實(shí)現(xiàn)高效信息傳輸與處理的核心組件。在光通信系統(tǒng)中，光電子器件負(fù)責(zé)將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)進(jìn)行傳輸，并在接收端將光信號(hào)還原為電信號(hào)，保障信息的高速、穩(wěn)定傳輸。在智能手機(jī)的攝像頭模組中，光電子器件實(shí)現(xiàn)了圖像的光電轉(zhuǎn)換，為用戶提供高質(zhì)量的拍攝體驗(yàn)。鍵合絲作為光電子器件中連接芯片與基板或其...

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國(guó)儀量子電鏡在光模塊透鏡耦合對(duì)準(zhǔn)度評(píng)估的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在光模塊透鏡耦合對(duì)準(zhǔn)度評(píng)估的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在光通信技術(shù)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，光模塊作為實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的核心器件，其性能直接影響光通信系統(tǒng)的傳輸質(zhì)量與效率。透鏡耦合是光模塊中實(shí)現(xiàn)光源與光纖之間高效光傳輸?shù)年P(guān)鍵環(huán)節(jié)，透鏡耦合對(duì)準(zhǔn)度則是決定光耦合效率的關(guān)鍵因素。當(dāng)透鏡與光源、光纖之間的對(duì)準(zhǔn)度存在偏差時(shí)，會(huì)導(dǎo)致光信號(hào)在傳輸過程中發(fā)生損耗，降低光模塊的發(fā)射功率和接收靈敏度，進(jìn)而影響整個(gè)光通信...

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國(guó)儀量子電鏡在光掩模缺陷修復(fù)質(zhì)量驗(yàn)證的應(yīng)用報(bào)告

國(guó)儀量子電鏡在光掩模缺陷修復(fù)質(zhì)量驗(yàn)證的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造的光刻工藝中，光掩模作為圖案轉(zhuǎn)移的模板，其質(zhì)量直接決定了芯片上電路圖案的精度和完整性。隨著芯片制造工藝向更小的特征尺寸不斷推進(jìn)，對(duì)光掩模的精度要求愈發(fā)嚴(yán)苛。哪怕是極其微小的缺陷，如灰塵顆粒、劃痕、圖案變形等，都可能在光刻過程中被放大，導(dǎo)致芯片上出現(xiàn)短路、斷路等功能性缺陷，極大降低芯片的成品率和性能。為了確保光掩模的高質(zhì)量，缺陷修復(fù)成為關(guān)鍵環(huán)節(jié)。修復(fù)...

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