
江蘇秋正新材料科技有限公司

已認(rèn)證
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本產(chǎn)品是一種專為電子漿料封接設(shè)計(jì)的鉍酸鹽基玻璃粉,核心組分包含 Bi(鉍)、B(硼)、Si(硅)、Al(鋁)、Na(鈉),并創(chuàng)新性引入 Li(鋰) 與 Zn(鋅) 元素。通過(guò)優(yōu)化鋰元素配比,顯著降低熱加工溫度并提升界面結(jié)合性能,適用于對(duì)溫度敏感的電子元件封裝、光伏導(dǎo)體漿料、低溫共燒陶瓷(LTCC)等高端領(lǐng)域。
性能指標(biāo) | 數(shù)值范圍 |
---|---|
軟化點(diǎn) | 260–280°C |
熔點(diǎn) | 320–330°C |
熱膨脹系數(shù) | ≈7–9×10??/K (可調(diào)) |
封接氣氛 | 空氣/惰性氣氛 |
環(huán)保性 | 無(wú)鉛(符合RoHS) |
顯著降低熔融溫度Li?離子具有高電場(chǎng)強(qiáng)度和小離子半徑(0.076nm),可削弱玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中的Si-O鍵能,降低玻璃黏度。這使得軟化點(diǎn)/熔點(diǎn)較傳統(tǒng)鉍玻璃降低約20–40°C,滿足低溫工藝需求。
提升界面致密性與結(jié)合力
Li?O作為強(qiáng)助熔劑,促進(jìn)玻璃在低溫下快速流動(dòng),填充基材(如銀電極、陶瓷)微孔;
鋰離子遷移率高,加速玻璃與基材間的離子交換,形成高強(qiáng)度化學(xué)鍵合層,減少界面氣孔。
抑制析晶傾向鋰的引入優(yōu)化了玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體(Si/B)與修飾體(Bi/Na/Zn)的平衡,降低高溫處理時(shí)的析晶風(fēng)險(xiǎn),確保封接層的均一性及長(zhǎng)期可靠性。
協(xié)同增強(qiáng)電性能與鋅元素協(xié)同作用,調(diào)節(jié)玻璃的熱膨脹系數(shù)(CTE)匹配度,減少熱應(yīng)力導(dǎo)致的微裂紋,同時(shí)維持封接層的高絕緣性與耐離子遷移性。
網(wǎng)絡(luò)中間體作用:Zn2?可部分進(jìn)入[SiO?]/[BO?]網(wǎng)絡(luò),提升玻璃化學(xué)穩(wěn)定性;
降低熱膨脹系數(shù):與Li協(xié)同優(yōu)化CTE,匹配硅基/陶瓷基板;
增強(qiáng)抗潮性:ZnO抑制玻璃表面水解,延長(zhǎng)器件壽命。
特性 | 實(shí)現(xiàn)效果 |
---|---|
超低溫加工 | 260–280°C軟化,320–330°C熔融,兼容熱敏感元件(如PET基板、有機(jī)封裝材料) |
高封接強(qiáng)度 | Li?增強(qiáng)界面鍵合,剪切強(qiáng)度提升15–25% |
優(yōu)異密封性 | 流動(dòng)性優(yōu)化,氣孔率<1% |
寬CTE適配范圍 | 通過(guò)Li/Zn比例調(diào)節(jié)CTE,兼容銀/銅電極、Al?O?/AlN陶瓷 |
高工藝穩(wěn)定性 | 寬燒結(jié)窗口(ΔT>40°C),抑制析晶 |
光伏行業(yè):硅太陽(yáng)電池正面銀漿、PERC背電極封裝;
電子封裝:LTCC/HTCC生瓷帶共燒、芯片貼裝玻璃鈍化層;
顯示技術(shù):OLED/微LED玻璃基板密封;
傳感器:MEMS傳感器氣密性封裝;
熱管理:功率模塊陶瓷散熱基板接合。
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