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    第三代半導體相比于第一、二代半導體，其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。其中碳化硅應用更為廣泛。

    碳化硅晶圓相對于硅片，其硬度更高硅片的拋光使用硅溶膠拋光液或者較為柔軟的氧化鈰拋光液即可，但碳化硅的硬度9.2以上，硅片僅7，硬度的差異導致無法使用上述兩種拋光液，顧需要選擇硬度更高的材料，但同時需要達到埃級的平整度，其粒徑需要很小，且分布較窄。

    納米氧化鋁拋光液成為首選，要達到上述平整度，其粒徑至少達到100nm，且分布要窄。國內很多企業(yè)號稱可以做這樣的納米氧化鋁。

    單就該粒徑來看，確實有可以達到的，最簡單的氣相氧化鋁或者伽馬相氧化鋁，完全達到要求。但是這樣的氧化鋁有一個共同的特點，其硬度不夠，無法提供有效的拋光速率，甚至配置的拋光液時氧化鋁非常容易被化學試劑腐蝕消解導致失效。所以需要達到有效的拋光速率，必須使用阿爾法相氧化鋁。

那么這種100-150nm氧化鋁制備又有什么難點呢？

1氧化鋁在燒結過程中向阿爾法轉向，晶粒易長大，而一旦長大，其粒徑難以超細化，所以制備100nm氧化鋁，第一步，控制晶粒長大，最好控制在100nm以下。

2完整的結晶，提供硬度。這一條件與上述條件是沖突的，怎么辦？看第三條！

3 良好的燒結活性，在更低溫度燒結，避免晶粒長大的同時完整的轉相阿爾法。

4 純度，晶圓拋光對純度要求極高，如Na、Ca、磁性離子需嚴格控制，最高達到ppm級別，放射性元素U、Th需控制ppb級。

大家不妨想一想，要達到上述幾個條件，用什么工藝來制備?

請容小編做個小廣告，柔陶新材主要研發(fā)生產高純度納米氧化鋁，3N、4N，粒徑100nm、200nm、300nm、500nm等，其中100nm高純度氧化鋁漿料已在第三代半導體行業(yè)得到應用，歡迎各cmp材料技術工作者共同研討