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【干貨分享】一文讀懂多孔石墨烯材料

【干貨分享】一文讀懂多孔石墨烯材料
碳豐科技  2025-03-06  |  閱讀:1031

多孔石墨烯是指在二維基面上具有納米級孔隙的碳材料,是近年來石墨烯缺陷功能化的研究熱點。多孔石墨烯不僅保留了石墨烯優(yōu)良的性質(zhì),而且相比惰性的石墨烯表面,孔的存在促進了物質(zhì)運輸效率的提高,特別是原子級別的孔可以起到篩分不同尺寸的離子/分子的作用。更重要的是,孔的引入還有效地打開了石墨烯的能帶隙,促進了石墨烯在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用。在這里,小編會向大家介紹多孔石墨烯的一些基本性質(zhì)和特性,并對其理論研究、制備方法和應(yīng)用的研究進展進行了評述。

圖1 多孔石墨烯材料結(jié)構(gòu)示意圖

多孔石墨烯(PG)又稱石墨烯篩(GNM)是指在二維基面上具有納米孔的碳材料。大量的理論和計算表明,PG中的孔是碳原子從晶格中被移除或者轉(zhuǎn)移到表面而留下的空位,其本身是一種缺陷。對Gr進行高能粒子輻射、化學處理都會導(dǎo)致這種缺陷的產(chǎn)生。在制備的過程中,由于缺陷會影響Gr的電學性質(zhì)、磁學性質(zhì)和機械性質(zhì),尤其在電學性質(zhì)中,缺陷造成載流子和聲子散射,減少了傳輸路徑,從而影響載流子的遷移率,因此需要盡量保持晶體結(jié)構(gòu)的完整性。但孔缺陷并不都有弊,相反,孔缺陷還可以使Gr獲得一些新的功能。如,的理論比表面積高達2640m2/g,但由于π-π電子的作用,很容易產(chǎn)生團聚,導(dǎo)致比表面積會出現(xiàn)大幅下降,而PG不會產(chǎn)生此種現(xiàn)象。


 多孔石墨烯的理論基礎(chǔ)及特性

在Gr中,理想的碳原子排列是六元環(huán)結(jié)構(gòu)。 因此,把Gr裁剪成具有一定寬度準一維的納米材料GNR可以獲得兩種不同的邊緣結(jié)構(gòu)類型——扶手型和鋸齒形。具有鋸齒形邊緣的石墨烯通常呈金屬性,而具有扶手型邊緣的既可能呈金屬性,也可能呈半導(dǎo)體型,這取決于納米帶的寬度。實際上,GNR的邊緣是不規(guī)則的,并不嚴格遵守兩種邊緣結(jié)構(gòu)類型。因為sp2雜化可以將碳原子排列成不同的多邊形結(jié)構(gòu),只要滿足特定的對稱規(guī)律,非六元環(huán)的結(jié)構(gòu)就可能出現(xiàn)。并且,輕微的結(jié)構(gòu)變化都將導(dǎo)致兩種邊緣類型的GNR在導(dǎo)體性質(zhì)上無差異。在PG中,這兩種邊緣結(jié)構(gòu)是同時存在的,因此PG的電子結(jié)構(gòu)不僅可以由其邊緣的類型來決定,還取決于活性邊緣的數(shù)量。然而,由于PG納米孔的周期性和頸寬不一致,以及各個孔的形狀和邊緣形貌也不同,其電學性質(zhì)表現(xiàn)出更復(fù)雜的行為。

除了對PG電學性質(zhì)的研究之外,科學家還對GNM的力學性能進行了系統(tǒng)的分子動力學研究。當臨界孔密度為15%時,GNM開始產(chǎn)生力學響應(yīng)的過渡,此時斷裂應(yīng)變表現(xiàn)為密度的函數(shù)并具有最小值。當孔密度小于80%時,應(yīng)力-應(yīng)變曲線表明GNM的延展性隨著孔密度的增加而增加,并且強度超過了5GPa。

PG有別于Gr的性質(zhì)來源于納米孔的引入。以氧化還原法制備Gr為例,在還原的過程中,表面的含氧官能團也隨之被去除,片層間的靜電斥力降低,導(dǎo)致Gr很容易發(fā)生團聚,這種團聚不僅降低比表面積,還會阻礙其他物質(zhì)如電解質(zhì)離子進入到Gr片層中。而PG由于面內(nèi)不同尺寸孔的引入,避免了團聚造成的不利影響;介孔和大孔可以促進物質(zhì)的滲透和輸運;而微孔則有利于比表面積的提高。納米孔結(jié)構(gòu)的引入,使得PG具有高的比表面積、豐富的傳質(zhì)通道、可調(diào)控的能帶隙、高的孔邊緣活性、透氣性、良好的機械穩(wěn)定性以及生物化學傳感等特性。

? 多孔石墨烯的制備方法

1. 光刻法

光刻技術(shù)是指利用高能電子束、離子束或者光子束等對Gr刻蝕,誘發(fā)表面碳原子的移除、氧化或者降解。整個過程只需要數(shù)秒至數(shù)十秒。光刻技術(shù)可以得到高質(zhì)量的Gr孔結(jié)構(gòu),但是此方法操作成本較高,刻蝕過程往往會伴隨著污染物的產(chǎn)生,并造成孔邊緣的碳原子排列混亂,影響Gr作為器件使用時的輸運性能。

                          圖2 電子束誘導(dǎo)刻蝕石墨烯

2. 催化刻蝕法

受碳原子排列結(jié)構(gòu)的影響,Gr表面呈惰性,普通條件下很難與其他物質(zhì)反應(yīng),但是在一定溫度下,借助催化劑的作用,可以使特定位置的碳原子被移除,形成氣體溢出,在表面產(chǎn)生孔隙。科學家發(fā)現(xiàn)銀對Gr中的碳原子有催化氧化作用,通過醋酸銀的熱分解將銀沉積到Gr表面,隨后在空氣中進行熱處理,殘留的銀用酸洗除去,得到的Gr孔徑大小為5到數(shù)十納米,如下圖。

                         圖3 石墨烯的催化氧化刻蝕

3. 化學氣相沉積法

CVD法被認為是合成無缺陷大尺寸Gr的理想方法,但在一些電子器件領(lǐng)域,連續(xù)生長的Gr應(yīng)用受到限制,因此需要將Gr圖案化。科學家使用圖案化的氧化鋁對銅箔掩模,采用無障礙引導(dǎo)CVD刻蝕法,在銅箔表面生成Gr,如下圖。由于銅箔部分表面被氧化鋁覆蓋,造成此處銅箔的鈍化,阻礙Gr的生成。相比自上而下制備PG的方法,此方法制備的Gr晶體結(jié)構(gòu)完整,化學性質(zhì)穩(wěn)定,邊緣結(jié)構(gòu)不會紊亂,可以人為的調(diào)整Gr孔的構(gòu)型。在晶體材料的刻蝕中,傳統(tǒng)刻蝕方法通常為各向異性刻蝕,圖案比較簡單。

                             圖4 多孔石墨烯的化學氣相合成

4. 濕法刻蝕

濕法刻蝕是一種化學腐蝕技術(shù),通常分為酸法和堿法刻蝕。酸法刻蝕最初用于CNT的裁剪,在酸性環(huán)境和強氧化劑的條件下,CNT可以沿著軸心被打開,得到GNR。KOH常常被用于多孔碳材料的活化中。碳材料經(jīng)活化之后,表面生成的無機鹽會影響碳原子的電子分布,進而形成刻蝕。由此得到的疏松多孔結(jié)構(gòu)將極大地提高碳材料的比表面積??茖W家先對GO進行微波膨脹,再用KOH溶液浸泡,熱還原處理制備得到PG,如下圖。

                                       圖5 KOH活化石墨烯

5. 碳熱還原法

碳熱還原法是將碳作為還原劑,還原金屬氧化物得到金屬單質(zhì),而碳原子本身在還原過程中被刻蝕??茖W家先將經(jīng)KOH活化過的GO浸泡在KMnO4溶液中,通過調(diào)整不同的浸泡時間來獲得不同載量的高錳酸根離子,經(jīng)煅燒制得PG-MnO2復(fù)合材料。得到的孔徑大部分在1~2nm之間,孔徑大小和MnO2的顆粒大小一致,如下圖。由于MnO2本身是良好的電容電極材料,可以借助Gr來彌補其導(dǎo)電性能。

                       圖6 MnO2在GO 表面的自主還原

6. 溶劑熱法

溶劑熱法在納米材料的制備中應(yīng)用廣泛,只需調(diào)整實驗參數(shù)就可以精確地控制納米顆粒的大小、形貌分布和結(jié)晶性。近來一些關(guān)于GO的還原中也會常常用到這種方法。相比氧化還原法,溶劑熱法能有效促進Gr的剝離和分散,制備Gr的周期大大縮短,而且此法制備的Gr含有較多的孔結(jié)構(gòu)??茖W家發(fā)現(xiàn),經(jīng)過還原的PG可以用作NO2的氣敏傳感器,其敏感性是未經(jīng)蒸氣刻蝕的還原氧化石墨烯100倍,如下圖。

                                     圖7 GO表面成孔原理示意圖 

7. 自由基攻擊法

自由基攻擊是指在催化劑的存在下,光被基體吸收,依靠催化劑產(chǎn)生氧化性自由基,促進化學反應(yīng)的進行。研究發(fā)現(xiàn),TiO2、ZnO等物質(zhì)對富碳材料有催化降解作用,并且這兩種催化劑還可以用于GO的還原??茖W家發(fā)現(xiàn),利用氧化鋅納米棒為催化劑,經(jīng)紫外線輻照,光致電子從ZnO納米棒的頂端遷移到GO表面,因為GO是良好的電子受體,所以能夠?qū)ζ浔砻娈a(chǎn)生大范圍的還原。

                               圖8 ZnO納米棒光催化降解石墨烯

 

? 多孔石墨烯的應(yīng)用

1. 低溫燃料電池

在低溫燃料電池(包括質(zhì)子交換膜燃料電池和堿性燃料電池等)催化劑中,鉑Pt基催化劑是應(yīng)用最廣泛的,因為它具有優(yōu)良的氧還原催化活性和良好的電化學穩(wěn)定性。但是Pt的成本較高,而且顆粒粒徑和分散性對其性能影響較大。因此,制備高度分散的Pt基催化劑非常關(guān)鍵,這與載體的比表面積、電導(dǎo)率和電化學穩(wěn)定性有關(guān)。而Gr具備高的比表面積和導(dǎo)電性能,用作催化劑載體無疑具有巨大潛力。PG不僅可以用于金屬催化劑載體,其本身還可以作為非貴金屬催化劑使用。

2. 超級電容器電極材料

超級電容器具有高功率特性和循環(huán)穩(wěn)定性,可以實現(xiàn)快速充放電,使用壽命長。而Gr作為新型的二維碳材料,具有高的比表面積和導(dǎo)電性,被證明可以用于超級電容器材料。然而,Gr容易團聚,極大地降低了其表面積,導(dǎo)致電解液離子的遷移阻力增大,對性能有不利影響。而PG豐富的孔結(jié)構(gòu)不僅促進比表面積的提高,而且為離子的運輸提供通道,是非常有前景的材料。

3. 鋰離子電池電極材料

Gr良好的化學穩(wěn)定性以及高的比表面積被證明可以運用到鋰離子電極材料中。研究者將良好的存儲容量歸因于Gr的片層結(jié)構(gòu)。除此之外,Gr的邊緣結(jié)構(gòu)也影響著鋰離子的吸附和擴散效率,因為缺陷處的能壘比較低,有利于鋰離子的傳輸。PG除了含有較多的邊緣結(jié)構(gòu)以外,還可以提供鋰離子運輸?shù)目椎馈?/p>

4. 場效應(yīng)晶體管

根據(jù)Gr的能帶結(jié)構(gòu),Gr沒有帶隙,導(dǎo)帶與價帶交于一點,載流子的濃度不能降至零,器件沒有關(guān)態(tài),而開關(guān)行為是傳統(tǒng)晶體管必須具備的條件。所以人們嘗試用各種方法來打開Gr帶隙,提高器件的開關(guān)比。GNR是比較常規(guī)的打開能帶隙的方法,通常認為當納米帶的寬度小于20nm時,才能達到晶體管中的開關(guān)行為。而PG也可以打開能帶隙,原理和GNR相似,但能獲得更高數(shù)量級的能帶隙。

5. 化學傳感器

Gr的另一個重要應(yīng)用是化學傳感器。由于Gr是理論上比表面積最大的材料,一些氣體分子都可以吸附在其表面及邊緣,影響Gr載流子濃度,進而使電導(dǎo)率發(fā)生變化。Gr的傳感機制和CNT相似,當NH3吸附在Gr表面時,表現(xiàn)出n型摻雜的半導(dǎo)體特征;而當NO2吸附在Gr表面時,表現(xiàn)出!型摻雜的半導(dǎo)體特征。對于RGO來說,氣體分子對其表面的含氧官能團和缺陷位都十分敏感',兩者是良好的吸附位點。

6. 海水淡化

傳統(tǒng)的海水脫鹽方法是反滲透法,但是工作條件十分苛刻,成本也較高。研究表明,當PG的孔徑很小時,相比CNT薄膜,其水流量也非常小。而當孔徑增大到一定程度時,PG薄膜的水流量要比CNT薄膜大得多。而無論CNT薄膜的厚度怎樣變化,其滲透率基本保持不變。

7. 分子篩

在工業(yè)中對氣體的提純主要有液化分離精餾法和變壓吸附法,近些年來新興的膜分離法以其低廉的成本、簡單的設(shè)備要求而發(fā)揮著重要作用。通常要求氣體分離膜的機械穩(wěn)定性好,并且不和篩分氣體發(fā)生反應(yīng)。雖然Gr表面呈惰性,外來物質(zhì)很難滲透到其晶格中,但大量的理論研究表明,在Gr表面引入納米孔之后,可以實現(xiàn)對不同尺寸的分子和離子的篩分。有的理論將分子的滲透速率歸因于石墨烯薄膜表面分子的吸附量,認為分子的滲透速率是與吸附量成正比的。

8. DNA分子檢測

基于單分子檢測的納米孔探測器為DNA等一些大分子的檢測提供了快速有效的方法。如今發(fā)展起來的硅基固態(tài)納米孔相較其他納米孔應(yīng)用更廣泛,但由于較厚的孔片層嚴重影響了其對單個堿基的分辨。含有納米孔的Gr被設(shè)想可以用于DNA分子檢測,理論研究表明,通過測試DNA分子穿孔時的橫向電流就可以檢測單個的核酸堿基。

根據(jù)現(xiàn)有的研究趨勢,不難看出,多孔石墨烯會將逐漸成為多孔材料和石墨烯領(lǐng)域的研究熱點。不僅制備方法會更加完善,在原有的應(yīng)用領(lǐng)域也會繼續(xù)深化,更多優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用也會被開發(fā)出來。

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