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硅氧與硅碳負極材料:技術(shù)路線深度對比與解析

硅氧與硅碳負極材料:技術(shù)路線深度對比與解析
Boyee博億  2024-12-20  |  閱讀:4963

隨著鋰離子電池技術(shù)的不斷進步,硅基負極材料作為提升電池能量密度的關(guān)鍵材料,正受到越來越多的關(guān)注。


目前,硅基負極材料主要分為硅氧負極和硅碳負極兩大技術(shù)路線。本文將詳細介紹這兩種技術(shù)路線及其特點。


01.

硅氧負極技術(shù)路線

硅氧負極材料主要由氧化亞硅(SiOx)與碳材料復(fù)合而成。根據(jù)制備工藝的不同,硅氧負極主要分為三代: 


第一代硅氧負極:采用氧化亞硅與石墨材料復(fù)合。氧化亞硅在鋰嵌入過程中發(fā)生的體積膨脹較小,相較于純硅負極,其循環(huán)穩(wěn)定性得到改善。


然而,氧化亞硅在充放電過程中會生成Li2O等非活性物質(zhì),導(dǎo)致首次效率較低(約70%) 


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第二代預(yù)鎂硅氧負極:通過在制備過程中添加鎂元素,阻止SEI膜合成,將首次效率提升至80%左右。


但預(yù)鎂化產(chǎn)品普遍克容量不高,且預(yù)鎂工藝會增加材料成本,對電芯廠來說性價比較低。 


第三代預(yù)鋰硅氧負極:在第二代基礎(chǔ)上進一步提升首次效率(ICE提升至86%-92%)


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然而,目前能夠兼顧安全穩(wěn)定、成本較低、可大規(guī)模生產(chǎn)的預(yù)鋰化技術(shù)還不夠成熟。 


硅氧負極材料的常用量產(chǎn)制備工藝包括高溫爐熱處理、冷凝、粗碎、粉碎、CVD爐炭包覆等步驟。


其核心在于通過氧化亞硅與碳材料的復(fù)合,以及包覆層的形成,提高材料的循環(huán)穩(wěn)定性和導(dǎo)電性能。


02.

硅碳負極技術(shù)路線

硅碳負極材料由納米級的硅顆粒和碳基材料(如石墨、碳納米管、石墨烯等)復(fù)合而成。根據(jù)制備工藝的不同,硅碳負極主要分為兩種技術(shù)路線: 


砂磨納米硅:通過攪拌罐將硅粉和適量的溶劑混合,形成初步的漿料,通過隔膜泵輸送至砂磨機中。


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轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)與研磨介質(zhì)的高速旋轉(zhuǎn),對漿料中的硅碳顆粒進行剪切、碰撞和摩擦作用,從而實現(xiàn)顆粒的細化和分散。 


研磨結(jié)束后,通過過濾、離心等方式將研磨介質(zhì)與物料分離,得到細化的硅碳負極漿料。


CVD法:通過氣相沉積技術(shù)將納米硅沉積到多孔碳骨架上。


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CVD法硅碳負極在克容量、首效、循環(huán)次數(shù)、倍率等多個維度性能表現(xiàn)優(yōu)異,其膨脹問題較傳統(tǒng)濕法研磨取得較大改善,穩(wěn)定性大幅提升。


CVD工藝被當(dāng)前視為最具發(fā)展?jié)摿Γ彩潜姸喙杌摌O廠商的最新布局方向。


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CVD法硅碳負極的制備工藝包括前驅(qū)氣體的選擇與供應(yīng)、基底準(zhǔn)備、反應(yīng)環(huán)境設(shè)置、高溫?zé)峤?、冷卻與后處理等步驟。


其核心在于通過氣相沉積技術(shù)形成均勻的納米硅碳復(fù)合材料,并通過多孔碳骨架來緩沖硅嵌鋰過程中的體積膨脹。


03.

對比分析

硅氧負極和硅碳負極各有千秋。硅氧負極在循環(huán)穩(wěn)定性和倍率性能方面表現(xiàn)優(yōu)異,但首次效率較低,且制備工藝較為復(fù)雜、成本較高。


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圖為:博億硅碳負極CVD法解決方案


硅碳負極則具有較高的克容量和首效,但循環(huán)次數(shù)和膨脹率等性能相對較差。


然而,隨著CVD法技術(shù)的發(fā)展,硅碳負極的性能有望得到進一步提升。

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