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國儀量子電鏡在硅基光子學(xué)波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度測量的應(yīng)用報(bào)告

國儀量子電鏡在硅基光子學(xué)波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度測量的應(yīng)用報(bào)告
國儀精測  2025-03-24  |  閱讀:320

國儀量子電鏡在硅基光子學(xué)波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度測量的應(yīng)用報(bào)告

一、背景介紹

在光電子技術(shù)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,硅基光子學(xué)波導(dǎo)作為實(shí)現(xiàn)光信號高效傳輸與處理的核心元件,在光通信、光計(jì)算、生物醫(yī)學(xué)光子學(xué)等前沿領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。在高速光通信網(wǎng)絡(luò)中,硅基光子學(xué)波導(dǎo)能夠以極低的損耗傳輸光信號,實(shí)現(xiàn)信息的長距離、高帶寬傳輸,有效緩解數(shù)據(jù)流量增長帶來的通信壓力。在光計(jì)算領(lǐng)域,其精確的光信號操控能力為構(gòu)建高性能光計(jì)算芯片奠定基礎(chǔ),有望推動計(jì)算技術(shù)的跨越式發(fā)展。

然而,硅基光子學(xué)波導(dǎo)的側(cè)壁粗糙度是影響其性能的關(guān)鍵因素。理想的波導(dǎo)側(cè)壁應(yīng)光滑平整,以確保光信號在波導(dǎo)內(nèi)的傳播過程中,光能被有效限制在波導(dǎo)芯層,減少散射損耗。但在實(shí)際制造過程中,受光刻、刻蝕等工藝的限制,波導(dǎo)側(cè)壁不可避免地會出現(xiàn)一定程度的粗糙度。這種粗糙度會導(dǎo)致光信號在傳播過程中發(fā)生散射,部分光能泄漏到波導(dǎo)外,增加傳輸損耗,降低光信號的傳輸效率和質(zhì)量。側(cè)壁粗糙度還可能影響光信號的相位一致性,對波導(dǎo)中光信號的干涉、調(diào)制等功能產(chǎn)生不利影響。側(cè)壁粗糙度受制造工藝參數(shù),如光刻膠的質(zhì)量、刻蝕氣體的流量與時(shí)間、刻蝕設(shè)備的精度等多種因素綜合影響。因此,精準(zhǔn)測量硅基光子學(xué)波導(dǎo)的側(cè)壁粗糙度,對優(yōu)化制造工藝、提高波導(dǎo)性能、推動硅基光子學(xué)技術(shù)發(fā)展至關(guān)重要。

二、電鏡應(yīng)用能力

(一)微觀結(jié)構(gòu)成像

國儀量子 SEM3200 電鏡具備高分辨率成像能力,能夠清晰呈現(xiàn)硅基光子學(xué)波導(dǎo)的微觀結(jié)構(gòu)??删_觀察到波導(dǎo)側(cè)壁的表面形貌,判斷側(cè)壁是否存在凸起、凹陷、顆粒等微觀缺陷;呈現(xiàn)側(cè)壁與波導(dǎo)芯層及包層的界面特征,確定界面是否清晰、平整。通過對微觀結(jié)構(gòu)的細(xì)致成像,為測量側(cè)壁粗糙度提供直觀且準(zhǔn)確的圖像基礎(chǔ)。例如,清晰的側(cè)壁成像有助于準(zhǔn)確識別和區(qū)分不同類型的微觀缺陷,這些缺陷是構(gòu)成側(cè)壁粗糙度的重要因素。

(二)側(cè)壁粗糙度分析

借助 SEM3200 配套的圖像分析軟件,能夠?qū)杌庾訉W(xué)波導(dǎo)的側(cè)壁粗糙度進(jìn)行精確分析。軟件通過設(shè)定合適的算法,根據(jù)側(cè)壁表面的灰度變化,量化側(cè)壁的粗糙度參數(shù)。在圖像上選取多個(gè)不同位置的區(qū)域,測量側(cè)壁的粗糙度輪廓,計(jì)算粗糙度的均方根值(RMS)、算術(shù)平均偏差(Ra)等統(tǒng)計(jì)量,評估側(cè)壁粗糙度的程度和均勻性。精確的側(cè)壁粗糙度分析為評估波導(dǎo)質(zhì)量提供量化數(shù)據(jù)支持,有助于確定受粗糙度影響嚴(yán)重的區(qū)域。

(三)粗糙度與工藝參數(shù)關(guān)聯(lián)研究

SEM3200 獲取的側(cè)壁粗糙度數(shù)據(jù),結(jié)合實(shí)際硅基光子學(xué)波導(dǎo)制造工藝參數(shù),能夠輔助研究粗糙度與工藝參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)。通過對不同工藝條件下波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度的對比分析,確定哪些工藝參數(shù)的變化對側(cè)壁粗糙度影響顯著。例如,發(fā)現(xiàn)刻蝕時(shí)間的延長或刻蝕氣體流量的改變會導(dǎo)致側(cè)壁粗糙度明顯變化,為優(yōu)化制造工藝參數(shù)提供依據(jù),以有效降低側(cè)壁粗糙度。

三、產(chǎn)品推薦

國儀量子 SEM3200 鎢燈絲掃描電鏡是硅基光子學(xué)波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度測量的理想設(shè)備。它具有良好的分辨率,能清晰捕捉到波導(dǎo)微觀結(jié)構(gòu)的細(xì)微特征和側(cè)壁粗糙度變化。操作界面人性化,配備自動功能,大大降低了操作難度,即使經(jīng)驗(yàn)不足的研究人員也能快速上手,高效完成測量任務(wù)。設(shè)備性能穩(wěn)定可靠,長時(shí)間連續(xù)工作仍能確保檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性與重復(fù)性。憑借這些優(yōu)勢,SEM3200 為硅基光子學(xué)波導(dǎo)制造企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)提供了有力的技術(shù)支撐,助力優(yōu)化制造工藝、提高波導(dǎo)性能,推動硅基光子學(xué)技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展。

 


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