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晶體生長技術(shù)是利用物質(zhì)(液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài))的物理化學性質(zhì)控制相變過程，獲得具有一定結(jié)構(gòu)、尺寸、形狀和性能的晶體的技術(shù)。

現(xiàn)在，人工合成晶體應用越來越廣泛，已經(jīng)成為國民經(jīng)濟和國防科技發(fā)展的重要物質(zhì)基礎。除了人們比較熟悉的水晶、寶石等裝飾用晶體之外，其他如激光晶體、半導體晶體、光電子晶體、非線性光學晶體、超導單晶、鐵電壓電晶體、金屬單晶材料等晶體材料的發(fā)展，為科學進步和人類生活水平提高做出了巨大貢獻。

什么是布里奇曼法晶體生長技術(shù)？

Bridgeman布里奇曼法晶體生長技術(shù)是由Bridgeman于1925年首次提出的，是將預合成材料放入具有單向溫度梯度的生長爐內(nèi)緩慢地下降，熔融的原料在經(jīng)過溫度梯度區(qū)域后，熔體因為溫度降至熔點以下而冷卻結(jié)晶，隨著坩堝的移動，原料將結(jié)晶為整塊單晶體。布里奇曼晶體生長法經(jīng)過幾十年的發(fā)展和演變已日趨成熟，具有成本低、用途廣、適應性強和設備簡便等優(yōu)點，因而被廣泛用于晶體生長領域，尤其適用一致熔融，另外，預合成的原料密封在特制的坩堝內(nèi)，避免了原料的揮發(fā)和泄露，使晶體的成分容易控制，并且管內(nèi)可實線高真空，避免了氧氣等不確定反應的發(fā)生。

Carbolite Gero在晶體生長設備領域有超過三十年的經(jīng)驗，針對布里奇曼晶體生長技術(shù)，專門研發(fā)了布里奇曼晶體生長爐，已在國內(nèi)外有很多成功的經(jīng)驗和案例，助力很多實驗室生產(chǎn)高質(zhì)量的單晶，推動了化合物半導體，拓撲絕緣體，凝聚態(tài)物理中熵合金高熵合金的晶體生長工作。