在第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）賽道上，0.1μm 的精度誤差可能導(dǎo)致良品率暴跌 15%，單晶圓成本激增數(shù)千元！從晶體生長(zhǎng)到晶圓加工，每一道工序都在考驗(yàn)設(shè)備的精度極限。

2025年8月20-21日在江蘇·蘇州由中國(guó)粉體網(wǎng)主辦的第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，復(fù)拓科學(xué)儀器（蘇州）有限公司攜三大殺手锏級(jí)產(chǎn)品震撼亮相，直擊行業(yè)痛點(diǎn)：

✅ 膜厚測(cè)量?jī)x Premier 50：精準(zhǔn)到 Å 級(jí)的膜厚把控，告別外延層厚度不均導(dǎo)致的器件失效

✅ 光學(xué)表面形貌儀：納米級(jí)粗糙度檢測(cè)，讓微缺陷無(wú)處遁形

✅ 晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)：±1μm 的厚度測(cè)量精度，解決翹曲超差引發(fā)的封裝難題

🔥 三大主推產(chǎn)品，如何顛覆行業(yè)認(rèn)知？

1️⃣ 膜厚測(cè)量?jī)x Premier 50—— 外延層的「納米級(jí)標(biāo)尺」

SiC 器件性能高度依賴(lài)外延層質(zhì)量，但傳統(tǒng)測(cè)量方式誤差高達(dá) ±5%，導(dǎo)致批次性良品率不足 70%！Premier 50 憑借光譜橢偏 + 激光干涉雙技術(shù)融合，實(shí)現(xiàn)：

• 檢測(cè)精度達(dá) 1Å：可分辨原子層厚度變化，確保外延層均勻性

• 測(cè)量速度提升 3 倍：?jiǎn)尉�圓檢測(cè)僅需 30 秒，適配產(chǎn)線高速需求

• 多膜層同步分析：一次測(cè)量獲取 SiC/SiO₂/ 金屬層等 5 層以上膜厚數(shù)據(jù)

  
  

2️⃣ 光學(xué)表面形貌儀 —— 缺陷檢測(cè)的「納米顯微鏡」

SiC 晶圓表面的微小凸起或凹陷，可能造成器件擊穿電壓下降 20%！復(fù)拓這款設(shè)備搭載白光干涉 + 共聚焦復(fù)合技術(shù)，做到：

• 粗糙度檢測(cè)下限 0.1nm：精準(zhǔn)捕捉原子級(jí)臺(tái)階高度差

• 3D 形貌實(shí)時(shí)重構(gòu)：可視化呈現(xiàn)晶圓表面微觀缺陷分布

• AI 缺陷智能分類(lèi)：自動(dòng)識(shí)別劃痕、顆粒污染等 12 類(lèi)常見(jiàn)缺陷

  
  

3️⃣ 晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng) —— 厚度控制的「微米級(jí)衛(wèi)士」

晶圓厚度不均會(huì)導(dǎo)致封裝應(yīng)力集中，引發(fā)芯片失效！該系統(tǒng)采用多光束共焦測(cè)量技術(shù)，實(shí)現(xiàn)：

• ±1μm 厚度測(cè)量精度：全晶圓 2000 + 點(diǎn)位快速掃描

• 翹曲度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)：同步輸出 TTV（總厚度變化）、局部厚度等 6 項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)

• 邊緣盲區(qū)檢測(cè)：攻克傳統(tǒng)設(shè)備難以測(cè)量的晶圓邊緣區(qū)域

📢 參會(huì)即享「三重硬核福利」，錯(cuò)過(guò)再等一年！

1️⃣ 零距離技術(shù)體驗(yàn)：現(xiàn)場(chǎng)操作三大設(shè)備，實(shí)測(cè)自家樣品數(shù)據(jù)（限前 20 名預(yù)約）

2️⃣ 定制化解決方案：復(fù)拓專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)一對(duì)一診斷產(chǎn)線精度問(wèn)題，出具優(yōu)化報(bào)告

3️⃣ 展會(huì)專(zhuān)屬優(yōu)惠：現(xiàn)場(chǎng)簽約設(shè)備享折扣 + 年度校準(zhǔn)服務(wù)

碳化硅器件成本每降低 10%，市場(chǎng)份額就能提升 20%！這是一場(chǎng)關(guān)乎企業(yè)未來(lái) 5 年競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)博弈�，F(xiàn)在掃碼聯(lián)系會(huì)務(wù)組鎖定席位！

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📍 坐標(biāo)：蘇州·白金漢爵大酒店（8 月 20-21 日 9:00-17:00）