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全力攻克!山西這3個(gè)碳化硅“揭榜掛帥”項(xiàng)目獲延期攻關(guān)


來源:中國粉體網(wǎng)   空青

[導(dǎo)讀]  山西省科學(xué)技術(shù)廳同意7項(xiàng)省科技重大專項(xiàng)計(jì)劃“揭榜掛帥”(半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域)項(xiàng)目延期至2025年12月。

中國粉體網(wǎng)訊  近日,山西省科學(xué)技術(shù)廳發(fā)布重要通知,經(jīng)2025年5月19日省科技廳第13次黨組(擴(kuò)大)會議審議通過,同意7項(xiàng)省科技重大專項(xiàng)計(jì)劃“揭榜掛帥”(半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域)項(xiàng)目延期至2025年12月。這一舉措旨在給予科研團(tuán)隊(duì)更充足的時(shí)間,全力攻克關(guān)鍵核心技術(shù),推動山西在半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)飛躍,助力產(chǎn)業(yè)升級。




此次延期的7個(gè)項(xiàng)目主要是半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域,其中包含三項(xiàng)碳化硅單晶材料及設(shè)備項(xiàng)目。


大尺寸4H-SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目


該項(xiàng)目由山西爍科晶體有限公司發(fā)起需求,河北普興電子科技股份有限公司揭榜。項(xiàng)目自2022年1月啟動,原計(jì)劃2024年12月完成,此次延期至2025年12月。

SiC單晶襯底作為制造高性能半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料,在新能源汽車、5G通信等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。4H-SiC由于其優(yōu)異的物理性能而被認(rèn)為是最適合用于高功率和高頻器件的半導(dǎo)體材料之一,目前,用于功率器件制造的6英寸4H-SiC襯底正在大規(guī)模生產(chǎn)中,而大尺寸的4H-SiC單晶襯底制備技術(shù)難度極大,此前,國內(nèi)相關(guān)技術(shù)受國外限制,嚴(yán)重制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展。


河北普興電子科技股份有限公司隸屬中國電子科技集團(tuán),前身是中電科集團(tuán)第十三研究所半導(dǎo)體材料專業(yè)部硅外延課題組,是國家認(rèn)定的高新技術(shù)和集成電路生產(chǎn)企業(yè),致力于高性能半導(dǎo)體外延材料的研發(fā)和生產(chǎn)。


8英寸SiC單晶生長設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目


該項(xiàng)目山西爍科晶體有限公司聯(lián)合中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所,致力于研發(fā)8英寸SiC單晶生長設(shè)備。該項(xiàng)目延期至2025年12月。


碳化硅制造裝備是碳化硅技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ),碳化硅單晶生長爐的技術(shù)水平、工藝能力及自主保障是碳化硅材料向大尺寸、高良率方向發(fā)展的關(guān)鍵,也是牽引第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向低成本、規(guī);l(fā)展的主要因素。目前,國際上先進(jìn)的SiC單晶生長設(shè)備被少數(shù)企業(yè)壟斷,該項(xiàng)目的成功研發(fā),將填補(bǔ)國內(nèi)在這一領(lǐng)域的技術(shù)空白,提升我國SiC晶體生產(chǎn)的自主化水平,推動山西在半導(dǎo)體高端裝備制造領(lǐng)域嶄露頭角。


中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所成立于1962年,是我國以智能制造、微電子裝備及應(yīng)用、碳化硅裝備及應(yīng)用、新能源裝備及應(yīng)用等產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)的骨干單位。多年來,二所立足自主裝備,與產(chǎn)業(yè)融合,形成了獨(dú)具特色的高端智能制造和工藝技術(shù)系統(tǒng)集成的能力。


SiC晶體激光誘導(dǎo)剝離工藝與裝備研發(fā)


該項(xiàng)目由中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所發(fā)起需求,河北同光半導(dǎo)體股份有限公司揭榜。


激光剝離技術(shù)可將晶錠加工成晶片,是多線切割的替代技術(shù)。相比之下,激光剝離技術(shù)更適合材料成本高、晶錠長度短的硬脆晶體加工領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)晶體加工成本的大幅下降,并提高加工效率與加工質(zhì)量。同時(shí)隨著襯底尺寸擴(kuò)徑、廠商擴(kuò)產(chǎn),激光切割設(shè)備經(jīng)濟(jì)型增強(qiáng),將有助于碳化硅襯底產(chǎn)量進(jìn)一步提升,降低襯底成本并加速碳化硅器件的滲透。


2022年,中電科二所在SiC激光剝離設(shè)備研制上取得突破性進(jìn)展,先后完成單機(jī)設(shè)備調(diào)試、碳化硅SBD整線工藝調(diào)試。



根據(jù)《山西省人民政府辦公廳關(guān)于印發(fā)山西省科技計(jì)劃項(xiàng)目管理辦法的通知》等相關(guān)規(guī)定,此次項(xiàng)目延期是綜合考慮科研實(shí)際進(jìn)展與項(xiàng)目難度后做出的審慎決策。



來源:

山西省科學(xué)技術(shù)廳、企業(yè)官網(wǎng)、山西科技報(bào)新媒體


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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作者:空青

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