中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司取得一項(xiàng)名為“用于最終拋光工藝的處理方法及拋光晶圓”的專利，可以在對(duì)晶圓表面進(jìn)行前序工藝損傷去除和鏡面化修復(fù)的同時(shí)減少微分干涉對(duì)比缺陷的形成。

來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

硅是一種非常優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，其帶隙為1.12 eV，適中且適合多數(shù)電子器件的工作需求。硅的電子遷移率和空穴遷移率也較為理想，適合制造高性能的芯片。此外，硅能夠通過直拉法和區(qū)熔法等工藝制備出高質(zhì)量的大尺寸單晶。

來源：奕斯偉材料官網(wǎng)

硅片表面拋光是半導(dǎo)體制造中的一項(xiàng)關(guān)鍵工藝，旨在通過去除硅片表面的微缺陷、應(yīng)力損傷層以及金屬離子等雜質(zhì)污染，達(dá)到極高的表面平整度和粗糙度要求，從而滿足微電子（IC）器件的制備需求。

為了滿足線寬小于0.13μm至28nm的IC芯片電路工藝對(duì)直徑300mm硅拋光片的高質(zhì)量要求，進(jìn)一步減少硅片表面的金屬離子等雜質(zhì)污染，并確保硅片表面具有極高的表面納米形貌特性，最終拋光（精拋光加工）成為不可或缺的關(guān)鍵步驟。

奕斯偉材料公開涉及一種用于最終拋光工藝的處理方法和拋光晶圓。用于最終拋光工藝的處理方法包括：使用第一拋光液對(duì)晶圓進(jìn)行第一拋光；使用第二拋光液對(duì)經(jīng)過第一拋光的晶圓進(jìn)行第二拋光；以及使用第三拋光液對(duì)經(jīng)過第二拋光的晶圓進(jìn)行第三拋光，其中，第一拋光液和第二拋光液均添加有堿性添加劑，并且第三拋光液不添加堿性添加劑。通過本次公開的用于最終拋光工藝的處理方法，能夠在對(duì)晶圓表面進(jìn)行前序工藝損傷去除和鏡面化修復(fù)的同時(shí)減少微分干涉對(duì)比缺陷的形成。

來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

奕斯偉材料是一家12英寸電子級(jí)硅片產(chǎn)品及服務(wù)提供商，主要從事12英寸硅單晶拋光片和外延片的研發(fā)、制造與銷售。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子通訊、新能源汽車等領(lǐng)域所需要的存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片、圖像傳感器、顯示驅(qū)動(dòng)芯片及功率器件等。

來源：奕斯偉材料官網(wǎng)

公司在硅片技術(shù)、制造工藝等領(lǐng)域掌握數(shù)百項(xiàng)核心技術(shù)專利，擁有成熟量產(chǎn)能力，具備無缺陷晶體生長(zhǎng)、高品質(zhì)外延生長(zhǎng)、硅片加工等自主關(guān)鍵技術(shù)，采用領(lǐng)先工藝及量測(cè)設(shè)備，對(duì)生產(chǎn)全過程進(jìn)行高標(biāo)準(zhǔn)品質(zhì)管控，產(chǎn)品在單晶品質(zhì)、幾何形貌、顆粒及污染控制等方面均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。奕斯偉材料依托在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域具有豐富經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)研發(fā)和經(jīng)營(yíng)管理團(tuán)隊(duì)，奕斯偉材料穩(wěn)步快速發(fā)展。目前在西安高新區(qū)已擁有兩座工廠，滿產(chǎn)后月產(chǎn)能將突破百萬片。

參考來源：

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局、奕斯偉材料官網(wǎng)

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除！