中國(guó)粉體網(wǎng)訊 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，材料創(chuàng)新成為突破性能瓶頸的關(guān)鍵。金剛石憑借其卓越的硬度、導(dǎo)熱性及潛在的半導(dǎo)體特性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的多個(gè)環(huán)節(jié)中已展現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿蛻?yīng)用價(jià)值。其中，金剛石微粉作為磨拋料，以其超精密加工能力，顯著提升了半導(dǎo)體晶片的表面質(zhì)量和生產(chǎn)效率，成為半導(dǎo)體制造不可或缺的一環(huán)。
從2024半導(dǎo)體行業(yè)用金剛石材料技術(shù)大會(huì)組委會(huì)獲悉，本屆會(huì)議將于2024年12月24日在鄭州舉辦。山東力冠微電子裝備有限公司將出席本次大會(huì)，現(xiàn)場(chǎng)交流前沿技術(shù)、市場(chǎng)。
企業(yè)介紹
山東力冠微電子裝備有限公司成立于2013年，同年6月正式成為中國(guó)電子專(zhuān)用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)會(huì)員；2018年11月，被山東省科技廳認(rèn)定為“高新技術(shù)企業(yè)”；2019年3月被第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟評(píng)為副理事長(zhǎng)單位，同年9月榮獲中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽·國(guó)際第三代半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)賽優(yōu)勝獎(jiǎng)；2022年、2023年分別被山東省工信廳認(rèn)定為“創(chuàng)新型中小企業(yè)”與“專(zhuān)精特新中小企業(yè)”。
作為一家國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，公司常年與國(guó)內(nèi)知名半導(dǎo)體企業(yè)、科研院校等保持密切合作，公司產(chǎn)品涵蓋第一代至第四代半導(dǎo)體材料工藝裝備，均擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，完全自主可控，被廣泛應(yīng)用于集成電路、功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、5G芯片、光通信、MEMS等新型電子器件制造領(lǐng)域。經(jīng)過(guò)十年的發(fā)展，已成為一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售為一體的半導(dǎo)體材料工藝裝備制造商。
部分產(chǎn)品介紹
1、液相法SiC長(zhǎng)晶爐設(shè)備
產(chǎn)品概述液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng)，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
晶體尺寸:6/8英寸
溫度范圍：溫度1500-2100℃
真空度:1*10-3pa
提拉/坩堝桿：升降0.2-400mm/h，旋轉(zhuǎn)0.5-50rpm
稱(chēng)重：6kg 精度：0.01g
2、LPCVD 臥式爐管設(shè)備
產(chǎn)品概述
LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一，主要用于Poly, D/P Poly, SiN,SiO2薄膜的生長(zhǎng)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
裝載采用碳化硅(SiC)懸臂槳，避免了與工藝管磨擦產(chǎn)生粉塵
溫度控制采用串級(jí)控制方式，對(duì)基片實(shí)際溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)智能控制
工作壓力閉環(huán)自動(dòng)控制，提高工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性
可根據(jù)客戶(hù)需求配置多工藝組合的機(jī)臺(tái)
技術(shù)指標(biāo)
晶片尺寸：6/8英寸晶圓
制程溫度范圍：500°C-900°C
恒溫區(qū)長(zhǎng)度：≥800mm
控溫精度：±1°C
3、MPCVD設(shè)備
產(chǎn)品概述
本設(shè)備主要是用于制備單晶金剛石�？杉ぐl(fā)高穩(wěn)定度的等離子團(tuán)，從而確保單晶生長(zhǎng)的持續(xù)性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
技術(shù)指標(biāo)
測(cè)溫: 300-1500°C
極限真空：≤10Pa
氣路系統(tǒng): 6路
壓力范圍: 5-300Torr
微波功率: 0.5-15Kw連續(xù)可調(diào)
功率穩(wěn)定性:<2%
波紋:≤1%
微波頻率: 2450MHz士50MHz
微波泄露值:<5Mw/cm²
放電區(qū)域:≥100mm
沉積區(qū)域:≥80mm
生長(zhǎng)速率: >12um
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會(huì)務(wù)組
聯(lián)系人：劉文寶
電 話(huà)：13693335961（同微信）
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