中國(guó)粉體網(wǎng)訊  當(dāng)前，從光伏到新能源汽車，碳化硅下游市場(chǎng)需求旺盛，特別是隨著電動(dòng)汽車和新能源需求的持續(xù)增長(zhǎng)，對(duì)SiC材料的需求呈現(xiàn)出井噴式增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。隨著SiC熱度高漲，SiC產(chǎn)業(yè)6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型趨勢(shì)加速，國(guó)際方面8英寸晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國(guó)內(nèi)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟。

碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)，其中制備重難點(diǎn)主要是晶體生長(zhǎng)和切割研磨拋光環(huán)節(jié)，是整個(gè)襯底生產(chǎn)環(huán)節(jié)中的重點(diǎn)與難點(diǎn)，成為限制碳化硅良率與產(chǎn)能提升的瓶頸，且8英寸與6英寸碳化硅晶圓的制造工藝有很大差別，也更為復(fù)雜。

縱觀國(guó)際廠商，海外大廠Wolfspeed、英飛凌、博世、onsemi等公司8英寸晶圓量產(chǎn)時(shí)間集中于2024年下半年至2026年期間。3月，Wolfspeed碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂；三菱電機(jī)預(yù)計(jì)今年4月將在日本開(kāi)建新的8英寸SiC工廠，并計(jì)劃2026年投入運(yùn)營(yíng)；4月，韓國(guó)釜山市正計(jì)劃投建2座8英寸SiC/GaN功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，最快將于明年下半年開(kāi)始。

回看國(guó)內(nèi)廠商，在量產(chǎn)時(shí)間上與國(guó)際大廠仍然存在一定時(shí)間差，但國(guó)內(nèi)廠商正向8英寸時(shí)代“進(jìn)攻”。天科合達(dá)北京基地正在招標(biāo)8英寸襯底量產(chǎn)線設(shè)備，包含加工產(chǎn)線的倒角-拋光-研磨-清洗及各類測(cè)試設(shè)備等產(chǎn)品。表明天科合達(dá)將進(jìn)一步布局8英寸量產(chǎn)產(chǎn)能；天岳先進(jìn)用液相法制備的無(wú)宏觀缺陷的8英寸襯底是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)，據(jù)該公司消息，其已在8英寸碳化硅襯底上具備量產(chǎn)能力；爍科晶體實(shí)現(xiàn)了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國(guó)產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步。

此外，還有許多國(guó)內(nèi)企業(yè)如湖南三安、南砂晶圓、晶盛機(jī)電、合盛硅業(yè)等在8英寸SiC襯底、設(shè)備等領(lǐng)域取得進(jìn)展突破。同光股份、乾晶半導(dǎo)體、超芯星、粵海金、東尼電子、天成半導(dǎo)體等廠商也已經(jīng)涉足8英寸SiC襯底，未來(lái)，有望誕生更多8英寸襯底材料、設(shè)備等方面的先進(jìn)技術(shù)，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

2024年4月25日，中國(guó)粉體網(wǎng)將在江蘇蘇州舉辦“第三屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會(huì)暨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)交流會(huì)”，屆時(shí)，山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理助理馬康夫將帶來(lái)《8英寸SiC單晶襯底發(fā)展淺析》的報(bào)告，馬康夫?qū)⒕C述國(guó)內(nèi)外8英寸碳化硅的發(fā)展現(xiàn)狀，并簡(jiǎn)析8英寸碳化硅單晶襯底制備的技術(shù)難點(diǎn)。最后簡(jiǎn)述山西爍科晶體有限公司8英寸碳化硅襯底的技術(shù)現(xiàn)狀，并對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進(jìn)行展望。

個(gè)人簡(jiǎn)介

馬康夫，博士，高級(jí)工程師，現(xiàn)任中電科半導(dǎo)體材料有限公司SiC材料技術(shù)專家，山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理助理。從事SiC材料研發(fā)多年，承擔(dān)及參與省部級(jí)項(xiàng)目10余項(xiàng)。獲山西省“三晉英才-青年優(yōu)秀人才”稱號(hào)，獲中國(guó)電子科技集團(tuán)公司科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)，三等獎(jiǎng)1項(xiàng)。在國(guó)內(nèi)外發(fā)表相關(guān)研究論文10余篇，申請(qǐng)專利10余項(xiàng)。

來(lái)源：

全球半導(dǎo)體觀察：SiC邁入8英寸時(shí)代，國(guó)際大廠量產(chǎn)前夕，國(guó)內(nèi)廠商風(fēng)口狂追

粉體網(wǎng)

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除