中國粉體網(wǎng)訊  據(jù)日經(jīng)新聞消息，日本富士電機將在2024～2026年度的3年內(nèi)向半導體領域投資2000億日元（折合人民幣約100億元）規(guī)模，重點將放在用于純電動汽車(EV)電力控制等的功率半導體上，計劃在日本國內(nèi)工廠新建碳化硅(SiC)功率半導體的生產(chǎn)線，提高產(chǎn)能。

碳化硅（SiC）是一種性能優(yōu)異的半導體材料，與傳統(tǒng)的硅材料相比，具有更高的硬度和耐久性，能夠承受更高的電壓和更大的電流。隨著電動汽車市場的迅猛增長，對功率半導體的需求也在不斷擴大。因此，富士電機選擇投資這一領域，以抓住不斷擴大的市場需求。在截至2023年度的為期5年的現(xiàn)有中期經(jīng)營計劃中，富士電機一直以每年400億日元的速度在半導體領域展開投資。從2024年度開始的3年新中期經(jīng)營計劃將改為每年700億日元，加速投資。

其中，富士電機將在松本工廠(長野縣松本市)建設“光刻前工程”生產(chǎn)線，將在2027年度以后開始生產(chǎn)使用8英寸大型晶圓的碳化硅功率半導體。富士電機計劃從2024年度開始在津輕工廠(青森縣五所川原市)量產(chǎn)6英寸碳化硅功率半導體。通過進一步擴大晶圓尺寸，可用一塊晶圓切割的芯片數(shù)量將隨之增加，有望提高生產(chǎn)效率。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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