中國粉體網(wǎng)訊  自組裝單分子層（Self-assembled Monolayers，SAMs）材料因具有低耗、低光學損失和高保型性等特點，被廣泛用作空穴選擇性接觸，以實現(xiàn)高效鈣鈦礦、鈣鈦礦/硅疊層太陽能電池的制備。然而，由于SAMs吸附對復雜氧化物表面化學的敏感性，在金屬氧化物（如氧化銦錫，Indium Tin Oxide，ITO）表面上實現(xiàn)均勻且無針孔的單分子層的沉積頗有挑戰(zhàn)性。

基于ITO表面重構的四端鈣鈦礦/硅疊層太陽電池的J-V曲線和ITO表面重構前后的微觀形貌及表面化學變化圖

近期，中國科學院寧波材料技術與工程研究所研究員葉繼春帶領硅基太陽能及寬禁帶半導體團隊，在前期晶體硅和鈣鈦礦太陽電池研究的基礎上，在鈣鈦礦/硅疊層電池方向取得了新進展。該團隊提出了ITO表面重構的新方法，實現(xiàn)了效率為28.4%的四端鈣鈦礦/硅疊層太陽電池的制備。該工作通過氫氟酸和隨后的紫外臭氧處理方法選擇性地去除ITO表面不需要的末端羥基和水解產(chǎn)物，從而實現(xiàn)ITO表面重構。這種方法可增加ITO表面活性和面積，從而促進高密度SAMs的吸附。此外，所得的氟化表面還可以防止ITO與鈣鈦礦活性層的直接接觸，并鈍化鈣鈦礦的埋底界面。得益于協(xié)同改進的鈣鈦礦成膜、電荷提取、能級排列和界面化學穩(wěn)定性，相應的單結鈣鈦礦太陽電池獲得了21.3%的光電轉(zhuǎn)換效率和較好的長期運行穩(wěn)定性�？蒲腥藛T將由重構的ITO制得的半透明電池和遂穿氧鈍化接觸（TOPCon）電池用于四端鈣鈦礦/硅疊層太陽電池的制備，最終獲得了28.4%的效率。

相關研究成果以Reconstruction of the Indium Tin Oxide Surface Enhances the Adsorption of High-Density Self-Assembled Monolayer for Perovskite/Silicon Tandem Solar Cells為題，發(fā)表在《先進功能材料》（Advanced Functional Materials，DOI: 10.1002/adfm.202304708）上。研究工作得到國家自然科學基金委員會和浙江省等的支持。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/星耀）

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