中國(guó)粉體網(wǎng)訊  6月26日消息，日本電容器（MLCC）大廠村田制作所近日宣布，計(jì)劃到2028年，對(duì)日本國(guó)內(nèi)的金澤村田制作所、仙臺(tái)村田制作所和芬蘭子公司合計(jì)投資約100億日元（當(dāng)前約5.02億元人民幣），將硅電容器產(chǎn)能提高兩倍。

▲ 村田制作所制造的硅電容器

目前，硅電容器的應(yīng)用僅限于醫(yī)療設(shè)備，但未來(lái)有望擴(kuò)展到智能手機(jī)和服務(wù)器等應(yīng)用，村田制作所希望通過(guò)投資和增產(chǎn)及時(shí)捕獲更多市場(chǎng)需求。

硅電容器采用半導(dǎo)體制造工藝制作，其介電層為穩(wěn)定性更好的硅材料。與當(dāng)前的主流電容器相比，硅電容器有著更好的電容密度、可靠性、高頻特性等優(yōu)勢(shì)，老化時(shí)間可長(zhǎng)達(dá)10年，其額定溫度甚至可高達(dá)250℃，在惡劣環(huán)境下有著更好的表現(xiàn)。

不過(guò)，目前硅電容器的價(jià)格是普通MLCC的幾十倍，因此其應(yīng)用范圍集中于高附加值、對(duì)成本不敏感的尖端醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。但考慮到硅電容器在輕薄方面的優(yōu)勢(shì)，對(duì)于內(nèi)部空間越來(lái)越捉襟見(jiàn)肘的智能手機(jī)而言，硅電容器也是相當(dāng)不錯(cuò)的選擇。村田制作所的硅電容器厚度可低至0.05mm。

今年3月，村田制作所曾宣布將于2024年之前向法國(guó)子公司投資約5000萬(wàn)歐元（當(dāng)前約3.92億元人民幣）以增加硅電容器的產(chǎn)能。此次村田制作所的投資計(jì)劃，將在兩家日本工廠和芬蘭子公司建立相同的生產(chǎn)系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)全球化的硅電容器供應(yīng)。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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