日前，美國IBM公司和日本索尼公司、東芝公司宣布，將聯(lián)手開發(fā)32納米的下一代大規(guī)模集成電路，并計劃在2013年投放市場，與韓國三星電子和美國英特爾公司展開競爭。

    據(jù)報道，日美這3家公司計劃在今后5年內將公司有關研究開發(fā)人員集中到IBM公司在紐約的研究基地和工廠，研究開發(fā)32納米大規(guī)模集成電路所必需的基礎技術。目前，日本主流集成電路半導體線路為90納米，最尖端的為65納米。國際上許多大型半導體生產廠家正在研究開發(fā)45納米的半導體。為了在競爭中保持優(yōu)勢，日美上述3家公司決定著手研究開發(fā)32納米半導體技術。

    東芝在加工技術和制造能力，索尼在多樣化的半導體技術和對消費者市場的深入了解，IBM在材料技術方面分別居于世界領先位置。過去5年，3家公司聯(lián)合在90納米和65納米級別的芯片研究上取得重大進展。

    集成電路和存儲器半導體的線路越細微，就越能使電器產品更加趨向小型化，并能提高產品性能。