中國粉體網(wǎng)訊 4月25日，國務院國資委在第四屆數(shù)字中國建設峰會上發(fā)布了十項國有企業(yè)數(shù)字技術成果。中國電科碳化硅MOSFET電力電子器件榜上有名。
碳化硅MOSFET是面向綠色環(huán)保、節(jié)能減排應用需求的電能轉換核心器件。
作為寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室依托單位，中國電科國基南方WM1A系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品對標國際先進，突破了低損傷高溫高能離子注入及激活技術、高遷移率高可靠柵氧化技術、激光退火薄片工藝等多項關鍵技術，填補國內(nèi)多項技術空白，在國內(nèi)率先實現(xiàn)六英寸碳化硅MOSFET晶圓批產(chǎn)，建立材料外延、芯片制造、模塊封裝產(chǎn)業(yè)鏈布局，形成650V-6500V系列產(chǎn)品。
最新研制的6500V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，作為寬禁帶半導體器件，具有大功率、低損耗、耐高溫等特點，可應用于高壓輸變電領域，顯著提升功率轉換效率，大幅減少功率裝置的體積和重量。
目前，國基南方研發(fā)的碳化硅系列產(chǎn)品很好滿足各領域?qū)Ω叨穗娏﹄娮悠骷眯枨螅堰M入服務器電源、新能源發(fā)電、新能源汽車、電網(wǎng)輸變電等領域應用，有效促進了低碳數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展和能源結構升級。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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