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耐威科技1億元設立全資子公司 將投資建設自主GaN微波及功率器件生產(chǎn)線


來源:半導體動態(tài)

[導讀]  4月11日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡稱“耐威科技”)公布公告稱,為了進一步完善GaN業(yè)務的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇,逐步形成自主可控的生產(chǎn)制造能力,盡快拓展相關材料與器件在5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、新型電源等領域的推廣應用,公司擬投資設立全資子公司。

中國粉體網(wǎng)訊  4月11日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡稱“耐威科技”)公布公告稱,為了進一步完善GaN業(yè)務的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇,逐步形成自主可控的生產(chǎn)制造能力,盡快拓展相關材料與器件在5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、新型電源等領域的推廣應用,公司擬投資設立全資子公司。


公告顯示,耐威科技此次擬新設公司名稱為北京聚能海芯半導體有限公司(以下簡稱“聚能海芯”,暫定名,具體以工商核名為準),注冊資本1億元,以此作為項目公司,組織資源投資建設自主GaN微波及功率器件生產(chǎn)線。


據(jù)披露,該新設公司將經(jīng)營半導體器件、集成電路的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)咨詢、技術(shù)服務;委托加工制造半導體器件;產(chǎn)品設計;銷售電子產(chǎn)品等業(yè)務。不過,耐威科技表示,以上信息均以工商行政管理機關最終核定的信息為準。


資料顯示,耐威科技成立于2008年,以傳感技術(shù)為核心,緊密圍繞物聯(lián)網(wǎng)、特種電子兩大產(chǎn)業(yè)鏈,一方面大力發(fā)展MEMS、導航、航空電子三大核心業(yè)務,一方面積極布局無人系統(tǒng)、第三代半導體材料和器件等潛力業(yè)務,主要產(chǎn)品及業(yè)務包括MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造、導航系統(tǒng)及器件、航空電子系統(tǒng)等,應用領域包括通信、生物醫(yī)療、工業(yè)科學、消費電子、航空航天、智能交通等。


近年來,耐威科技不斷布局和完善第三代半導體領域的布局。


2018年6月,耐威科技在青島市即墨區(qū)投資設立聚能晶源(青島)半導體材料有限公司,主要從事半導體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設計、開發(fā)、生產(chǎn);2018年7月,耐威科技在青島市嶗山區(qū)投資設立青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司,主要從事功率與微波器件,尤其是氮化鎵(GaN)功率與微波器件的設計、開發(fā)。


2018年12月,耐威科技公告宣布,聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”;2019年9月,聚能晶源宣布其第三代半導體材料制造項目(一期)正式投產(chǎn)。


如今,耐威科技在第三代半導體領域取得階段性成果的同時也在進一步完善該領域的布局。2019年11月6日,耐威科技發(fā)布公告稱,與青島西海岸新區(qū)管委簽署協(xié)議,擬在青島西海岸新區(qū)投資建設氮化鎵(GaN)晶圓制造項目。


根據(jù)公告,耐威科技擬建設一條6英寸氮化鎵微波器件生產(chǎn)線和一條8英寸氮化鎵功率器件生產(chǎn)線;項目總建筑面積約20.40萬平米,其中廠房與辦公建筑面積約18.00萬平米,宿舍面積約2.40萬平米。項目建成后,將有助于青島形成氮化鎵(GaN)基礎材料全產(chǎn)業(yè)鏈基地及產(chǎn)業(yè)集群。


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末)

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