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一、設(shè)備概述

立式爐管清洗設(shè)備專為半導(dǎo)體、光伏、LED等行業(yè)的高溫爐管（如CVD爐管、擴散爐管、退火爐管）設(shè)計，用于清除爐管內(nèi)壁沉積的硅料、氧化物、金屬顆粒及有機物殘留。通過高效化學(xué)清洗與物理剝離結(jié)合，恢復(fù)爐管的熱傳導(dǎo)性能和工藝穩(wěn)定性，延長設(shè)備使用壽命，同時避免因污染導(dǎo)致的晶圓良率下降或工藝偏差。

二、核心功能與技術(shù)特點

立式結(jié)構(gòu)與多向清洗

垂直清洗設(shè)計：針對立式爐管深孔結(jié)構(gòu)，采用自上而下的噴淋與超聲波清洗模式，確保清洗液均勻覆蓋管壁，避免死角殘留。

360°無死角沖洗：內(nèi)置旋轉(zhuǎn)噴頭與多角度噴嘴，通過高壓渦流沖擊分解頑固沉積物，清洗效率較傳統(tǒng)方式提升50%以上。

復(fù)合清洗工藝

化學(xué)清洗段：配置酸液（如HF/HNO?混合液）、堿液（如KOH溶液）及超純水沖洗槽，可針對不同污染物（如硅結(jié)垢、金屬氧化層）自動切換清洗方案。

超聲波輔助：高頻超聲波空化效應(yīng)剝離微小顆粒，尤其適用于直徑≤5mm的深孔爐管內(nèi)壁清洗。

熱解碳化模塊：可選配高溫（**800℃）惰性氣體環(huán)境，用于去除有機物焦化層或碳沉積。

智能控制與安全保障

PLC程序化操作：7英寸觸摸屏預(yù)設(shè)多種清洗工藝（如標(biāo)準(zhǔn)清洗、重金屬去除、碳化硅專用清洗），支持參數(shù)自定義與數(shù)據(jù)存儲。

實時監(jiān)控系統(tǒng)：監(jiān)測清洗液溫度、pH值、液位及流量，異常時自動報警并停止運行。

雙重防腐蝕設(shè)計：清洗槽體采用PFA涂層+PTFE內(nèi)襯，耐氫氟酸、強堿等腐蝕性介質(zhì)；電氣元件全密封，避免酸堿侵蝕。

高效干燥與潔凈度保障

真空干燥系統(tǒng)：清洗后通過低溫真空（≤10Pa）快速脫水，防止水漬殘留導(dǎo)致二次污染。

無塵環(huán)境：干燥腔體配備HEPA過濾器（≥0.3μm顆粒過濾效率99.99%），確保爐管出口潔凈度達(dá)到Class 5標(biāo)準(zhǔn)。

三、設(shè)備優(yōu)勢

高兼容性：適配直徑5-150mm、長度≤2米的立式爐管，支持單管或多管并行清洗。

低損傷率：柔性清洗噴頭與緩沖夾具設(shè)計，避免機械應(yīng)力導(dǎo)致爐管變形或劃痕。

節(jié)能環(huán)保：水循環(huán)系統(tǒng)重復(fù)利用清洗液，酸堿廢液分類回收率≥90%；熱能回收裝置減少能源消耗。

長壽命設(shè)計：核心部件（如超聲波振子、耐腐蝕泵）壽命≥3000小時，維護成本低。

四、應(yīng)用場景

半導(dǎo)體制造：清洗擴散爐、LPCVD爐管內(nèi)壁的磷硅玻璃（PSG）殘留及金屬污染。

光伏行業(yè)：清理多晶硅鑄錠爐、PECVD爐管中的硅粉沉積與氮化硅薄膜。

LED外延工藝：去除MOCVD反應(yīng)腔體內(nèi)的碳化物與金屬有機殘留。

科研實驗：高?；蜓芯克邷貭t設(shè)備的爐管維護清洗。