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進(jìn)口硒化鍺納米片分散液GeSe品牌
上海研倍產(chǎn)地
上海樣本
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工業(yè)級外觀:
液體有效物質(zhì)含量:
-執(zhí)行質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn):
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產(chǎn)品說明書
本產(chǎn)品含有Gese在異丙醇溶液中的單層和幾層厚片。合成了純度為99.9995%的Gese晶體,并通過超聲處理將其分散到異丙醇(純度為99.9999%的電子級化學(xué)品)中。由于原材料(合成GeSe晶體)是高度結(jié)晶的,因此超聲波處理分層GeSe層產(chǎn)生懸浮在丙酮溶液中的高度結(jié)晶的GeSe單層和少數(shù)層。Ge se納米材料的結(jié)晶性已通過電子能譜(EDAX)得到證實(shí)。拉曼光譜(半高寬<5厘米),以及掃描電子顯微鏡(SEM)測量。沉積在不同基底上的Ges薄片的橫向尺寸從~10nm~10um,厚度從IL到10s層。
解決方案類型:默認(rèn)情況下,美國2D半導(dǎo)體公司將提供在異丙醇中懸浮的GeSe薄片,因?yàn)槠淞己玫姆稚⑿?、穩(wěn)定性和高性能。然而,如果您的研究需要其他溶劑,請與我們聯(lián)系,了解更多細(xì)節(jié)和產(chǎn)品交付時(shí)間表。
溶液濃度:為了降低運(yùn)輸成本,簡化海關(guān)協(xié)議/邊檢流程,我們運(yùn)輸過飽和的2D溶液(根據(jù)2D層類型的不同,約為80-120毫克/升)。然而,可以通過簡單且經(jīng)濟(jì)高效的自旋鑄造工藝稀釋過飽和溶液,以產(chǎn)生250-500mL 的溶液,在所需的襯底上沉積2D層。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 進(jìn)口硒化鍺納米片分散液GeSe |
貨號 | RDB-FSY-015 |
溶液特性 | 過飽和(~250mg/L)鍺硒單層異丙醇溶液。瓶測量2mL,稀釋至常規(guī)濃度(約25mg/L)的約20mL |
材科性能 | 各向異性半導(dǎo)體 |
品體結(jié)構(gòu) | 六角形的 |
單元電池參數(shù) | a=0.386納米,b=0.444納米,c=1.081納米,a=B=y-90 |
合成方法 | 超聲波剝離合成GeSe晶體液相選擇:如果需要,可提供電化學(xué)剝離GeSe溶液 |
產(chǎn)品規(guī)格:
0.25mg/ml-濃度2ml-IPA
0.025mg/ml-濃度20mlIPA
進(jìn)口硒化鍺納米片分散液GeSe:
Raman: XRD:
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