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氮化鎵品牌
埃特曼半導(dǎo)體產(chǎn)地
北京樣本
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氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料中的代表，因其高耐壓、高飽和速率等優(yōu)點(diǎn)，在微波射頻和功率電子領(lǐng)域逐漸替代傳統(tǒng)的硅基器件，發(fā)揮重要作用。埃特曼采用國(guó)際**的 Hybrid-MBE 技術(shù)，為國(guó)內(nèi)外客戶(hù)提供高質(zhì)量、低成本的 GaN 外延片。
射頻類(lèi)：
GaN-on-SiC HEMT
GaN-on-Si HEMT
S/D n+ GaN 二次外延
功率類(lèi)：
GaN-on-Si HEMT
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