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典型應(yīng)用

各種器件的I-V功能測(cè)試和特征分析，包括：

分立和無源元件

– 兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動(dòng)器頭、金屬 氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極 管、電容、熱敏電阻

– 三抽頭器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管（BJT）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），等等

簡(jiǎn)單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)、傳感 器、轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器

集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI） – 模擬IC

– 射頻集成電路（RFIC）

– 專用集成電路（ASIC）

– 片上系統(tǒng)（SOC）器件

光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器 （VCSEL）、顯示器

圓片級(jí)可靠性

– NBTI、TDDB、HCI、電遷移

太陽能電池

電池

更多…

一、 通用設(shè)置

1. NPLC 2. 接線方式（2、4線制） 3. 自動(dòng)調(diào)零 4. 濾波

二、 單階恒流輸出測(cè)量（BiasIMeasureV-Single）

三、 單階恒壓輸出測(cè)量（BiasVMeasureI-Single）

四、 多階恒流輸出測(cè)量（BiasIMeasureV-Steps）

五、 多階恒壓輸出測(cè)量（BiasVMeasureI-Steps）

六、 分段電流掃描（SweepIMeasureV-Section）

七、 分段電壓掃描（SweepVMeasureI-Section）

八、 連續(xù)電流掃描測(cè)量（SweepIMeasureV-Continuity）

九、 連續(xù)電壓掃描測(cè)量（SweepVMeasureI-Continuity）

十、 雙通道電流同步掃描（Dual-SweepIMeasureV）

十一、 雙通道電壓同步掃描（Dual-SweepVMeasureI）

十二、 波形輸出-正弦波（Wave-Sine）

十三、 波形輸出-方波（Wave-Square）

十四、 電化學(xué)-循環(huán)伏安（Cyclic voltammetry）測(cè)量

十五、 電化學(xué)-多電流躍階測(cè)量（Multi-Current Steps）

十六、 電化學(xué)-多電位躍階測(cè)量（Multi-Potenital Steps）

十七、 太陽能電池IV特性測(cè)量（Solar Cell IV）

十八、 雙通道恒流恒壓測(cè)量（Dual Channel IV）-

十九、 直流FET-轉(zhuǎn)移曲線測(cè)量（DC-FET-Transfer）

二十、 直流FET-輸出曲線測(cè)量（DC-FET-Output）

二十一、 脈沖FET-轉(zhuǎn)移曲線測(cè)量（Pulse-FET-Transfer）

二十二、 脈沖FET-輸出曲線測(cè)量（Pulse-FET-Output）

二十三、 直流FET柵極方波曲線測(cè)量（DC- FET- Gate- Square Wave）

二十四、 流FET漏極方波曲線測(cè)量（DC- FET- Drain- Square Wave）