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產(chǎn)品型號(hào)

GSL-ZDDZS-500電子束蒸鍍

安裝條件

本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)，水溫小于25℃，水壓0.25-0.4Mpa，流量高于12 l/min（加注純凈水或者去離子水）；

2、電：AC380V 50Hz，功率大于10KW，波動(dòng)范圍：小于±6％，必須有良好接地（對(duì)地電阻小于2Ω）；

3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備氮/氬氣氣瓶（自帶?10mm雙卡套接頭）及減壓閥

4、場(chǎng)地面積：設(shè)備尺寸2000mm×2000mm，承重1000kg以上

5、通風(fēng)裝置：需要（外排廢氣管道）；

主要特點(diǎn)

1、由于電子束定位準(zhǔn)確能量很高，可蒸發(fā)難熔金屬或化合物，蒸發(fā)速率快；

2、體積小，操作簡便可以非常容易的放置材料和清理；

3、蒸發(fā)材料放置在水冷銅坩堝中，可避免坩堝材料的污染，制備高純薄膜；

4、由于蒸發(fā)物面積小，因而熱輻射損失小，熱效率高；

技術(shù)參數(shù)

1、極限真空度：≤6.67x10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)；

2、系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

3、系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)夂?，再開始抽氣，45分鐘可達(dá)到6.6x10-4 Pa；

基片參數(shù)

1、基片尺寸：可放置φ4″基片（帶手動(dòng)擋板）；

2、基片加熱**溫度 800℃±1℃，由熱電偶閉環(huán)反饋控制；

3、基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5～60轉(zhuǎn)/分；

4、基片與蒸發(fā)源之間距離300～350mm可調(diào)；

電子束蒸發(fā)源參數(shù)

1、E型電子槍，陽極電壓6KV、8KV；

2、電子槍坩堝：水冷銅坩堝，四穴設(shè)計(jì)，每個(gè)熔煉11ml；

3、電子束功率0-6KW可調(diào)；

真空腔體

1、U型真空室尺寸Ф500X600mm，選用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面進(jìn)行特殊工藝拋光處理，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封；

2、真空腔體前開門鉸鏈結(jié)構(gòu)，方便取、放樣品；

3、前開門設(shè)有兩個(gè)觀察窗接口，可以觀察電子槍和基片；

4、設(shè)備預(yù)留膜厚儀接口，可選配膜厚儀；

5、高真空分子泵機(jī)組，閘板閥隔斷（也可使用高真空擋板閥）；

產(chǎn)品規(guī)格

整機(jī)尺寸：1800mm×1200mm×2000mm；

標(biāo)準(zhǔn)配件

1

電源控制系統(tǒng)

1套

2

真空獲得機(jī)組

1套

3

真空測(cè)量

1套

4

電子槍

1套