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SKJ-50晶體生長(zhǎng)爐是用提拉法生長(zhǎng)高質(zhì)量氧化物單晶及金屬單晶，如藍(lán)寶石、GGG、YAG、SrLaAlO4、LaAlO3、Si、Ge等，**可長(zhǎng)出晶體尺寸達(dá)3" 。
產(chǎn)品型號(hào) | SKJ-50晶體生長(zhǎng)爐 |
| 安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC380V 50Hz（63A空氣開(kāi)關(guān)），必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣（純度99.99%以上），需自備氬氣氣瓶（自帶?6mm雙卡套接頭） 4、工作臺(tái)：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要 |
主要特點(diǎn) | 1、與同類相比屬于小型晶體生長(zhǎng)爐，適合于大專院校、研究所使用。 2、電子稱在生長(zhǎng)過(guò)程中可自動(dòng)控制晶體的直徑。 |
技術(shù)參數(shù) | 1、電源：三相380V 25KW 2、感應(yīng)射頻：功率25KW，射頻0.2KHz-20KHz 3、真空腔體：?500mm×700mm 4、真空度：10-3torr（機(jī)械泵），10-5torr（擴(kuò)散泵） 5、**提拉行程：500mm 6、提拉速度：0.1mm/h-20mm/h 7、籽晶桿旋轉(zhuǎn)速度：0-40rpm 8、**可熔融溫度：2100℃ 9、控溫精度：<±0.2℃ 10、冷卻水：所需水壓0.13MPa-0.18MPa，所需流量60L/min 11、移動(dòng)速度：1mm/h-10mm/h可調(diào) 12、快速移動(dòng)：手動(dòng) 13、結(jié)晶轉(zhuǎn)速：1rpm-50rpm 14、真空系統(tǒng)：機(jī)械泵和擴(kuò)散泵 15、極限真空度：10-5torr |
產(chǎn)品規(guī)格 | 1、爐體：880mm×1250mm×2850mm 2、控制柜：680mm×540mm×1700mm 3、中頻柜：1100mm×500mm×1500mm 4、總重：1500kg |
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