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儀器簡介:
桌面型原子層沉積系統(tǒng)由哈佛大學納米科學中心薄膜沉積工藝研究**科學家Dr. Philippe de Rouffignac設計,基于多年納米薄膜制備的豐富經驗以及對科研工作者切實研究需要的了解,推出了此桌面型、高性能的原子層沉積系統(tǒng)。首臺設備自2015年在CNS安裝以來,到目前為止已有超過1500人次使用,人性化的設計、便捷的操作和優(yōu)質的成膜工藝,贏得了眾多科研工作者的贊譽。
原子層沉積技術可沉積材料:
氧化物: Al2O3, ZrO2, HfO2, Ta2O5, SnO2, RuO2, ZnO, SrTiO3等
氮化物: TiN, NbN, TaN, Ta3N5, MoN, WN, TiSiN, SiN等
單一物質: Si, Ge, Cu, Mo, W, Ta, Ru等
半導體材料: GaAs, Si, InAs, InP, GaP, InGaP等
原子層沉積系統(tǒng)可以廣泛應用于:
半導體領域:晶體管柵極電介質層(高k材料),光電元件的涂層,晶體管中的擴散勢壘層和互聯勢壘層(阻止摻雜劑的遷移),有機發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件,集成電路中的互連種子層,DRAM和MRAM中的電介質層,集成電路中嵌入電容器的電介質層,電磁記錄頭的涂層,集成電路中金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容器涂層。
納米技術領域:中空納米管,隧道勢壘層,光電電池性能的提高,納米孔道尺寸的控制,高高寬比納米圖形,微機電系統(tǒng)(MEMS)的反靜態(tài)阻力涂層和憎水涂層的種子層,納米晶體,ZnSe涂層,納米結構,中空納米碗,存儲硅量子點涂層,納米顆粒的涂層,納米孔內部的涂層,納米線的涂層。
技術參數:
1. 腔室專為R&D設計和優(yōu)化,樣品尺寸達直徑4’’,支持擴展6‘’;
2. 反應腔溫度可控范圍:RT-350℃;
3. 前驅體源溫度可控范圍:RT-150℃;
4. 腔室處理壓力可控范圍:0.1-1.5 torr;
5. 源擴展多達5個;
6. 快速循環(huán)處理功能;
7. 氣路**化設計、腔體小型化設計;
8. 一分鐘多達6-10;
9. 成熟的薄膜Recipes內置程序;
10. 觸屏PLC控制;
11. 可配套手套箱使用;
12. 可配備臭氧發(fā)生器;
具體規(guī)格,歡迎與我公司聯系。
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