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適用于有機合成、平行合成、蛋白結晶、化學結晶等領域

容積 1 --150ml可選

數(shù)量 1--8個可選，自由插取

基于Windows的控制系統(tǒng)

大屏幕高亮度觸摸屏

溫度范圍 -30--160C

半導體控溫

金屬或玻璃結晶器

攪拌速度0--2000rpm可選

一體圖行顯示結晶合成過程

數(shù)據(jù)通過儲存卡導出或直接連接電腦

自由選擇數(shù)量

能外接pt100 、pH 及濁度計

介穩(wěn)區(qū)測量、蛋白結晶、化學結晶條件實驗

介穩(wěn)區(qū)是指溶解度與超溶解度之間的區(qū)域，超溶解度定義為某一溫度下物質在一定的溶劑字組成下能自發(fā)成核時的濃度。溶解度曲線和超溶解度曲線將溶液濃度-溫度相圖分割成三個區(qū)域，分別是穩(wěn)定區(qū)、介穩(wěn)區(qū)和不穩(wěn)定區(qū)。

一個特定的物系，只有一條明確的溶解度曲線，而超溶解度曲線的位置卻受到很多因素的影響，如有無攪拌、攪拌速度、有無晶種、晶種的大小種類、雜質的存再，超聲波、電磁場等等。所以超溶解度是一簇曲線。

介穩(wěn)區(qū)理論對結晶過程控制至關重要。在一個結晶過程中，當過飽和度超過介穩(wěn)區(qū)進入不穩(wěn)定區(qū)域時，溶液中就會自發(fā)成核。為了使得產品具有較高的純度和理想的粒度分布，通常將結晶過程控制在介穩(wěn)區(qū)內進行。介穩(wěn)區(qū)的寬度可以認為是一個結晶體系的特征。介穩(wěn)區(qū)寬度越大，說明結晶物質的過飽和溶液越穩(wěn)定。

介穩(wěn)區(qū)對工藝的指導意義

介穩(wěn)區(qū)寬度的測定對于工業(yè)結晶有著非常重要的意義，它不僅是結晶操作時選取適宜過飽和度的依據(jù)，也是進行過夜結晶器設計的重要參數(shù)，也就是說，要求的較為準確的**過飽和度或**過冷卻度，作為設計中選擇適宜的過飽和度的依據(jù)，并作為一個界限方式操作進入不穩(wěn)定區(qū)，使得產品品質惡化。

對于工業(yè)結晶過程，其操作具有廣泛性和不穩(wěn)定性。所以使得在實驗室小試成功的工藝工業(yè)放大后可能成效一般，為了得到粒度分布的軍運，晶習穩(wěn)定的晶體產品，必須在小試工藝的指導下，對結晶過程進行優(yōu)化。其中優(yōu)化過程*重要的參數(shù)就是過飽和度，而調節(jié)過飽和度發(fā)我內的重要指標是盡可能在恒定且停留在介穩(wěn)區(qū)內。

影響介穩(wěn)區(qū)寬度的主要因素又溶液過飽和歷程、溶液純凈度、溶劑種類、攪拌及是否添加晶種或添加純凈劑等。一般情況下，冷卻速率越大，介穩(wěn)區(qū)越寬；攪拌速度越大，介穩(wěn)區(qū)越窄，而且由于晶種的存在降低了成核的能壘，成和速率較大，攪拌的增強對成核作用不明顯。如果雜質使得溶質的溶解度變大，那么隨著雜質的增多介穩(wěn)區(qū)會變寬；相反如果雜質是溶解度降低，則隨著雜質濃度的增加介穩(wěn)區(qū)變窄。但是不同物系，介穩(wěn)區(qū)寬度收冷卻速率、攪拌速率等的影響程度不同，以上結論并不完全成立。

有學者對氯化鉀水溶液結晶介穩(wěn)態(tài)的研究中推出恒速降溫時**過冷度和冷卻速率的經(jīng)驗模型，證明冷卻速率越大，介穩(wěn)區(qū)越寬的理論。但是Mullin等人的研究發(fā)現(xiàn)在某一攪拌強度范圍內，對有些無錫，成核趨勢隨著降班強度的增大而減小。

Rauls等在研究Al₂(SO4)₃雜質對硫酸銨結晶過程的影響中發(fā)現(xiàn)，所有雜質濃度水平均抑制晶體的生長及成核，導致介穩(wěn)區(qū)變寬，但是不同雜質濃度水平對結晶過程的影響不盡相同，低雜質濃度下，可以得到粒度較大的晶體，而高雜質濃度卻產生大量細晶。Titiz-Sargut 和Ulrich考察添加Cr³⁺、Gu²⁺、Mg²⁺對明礬介穩(wěn)區(qū)寬度的影響，結果顯示三種雜質粒度都具有增大和降低介穩(wěn)區(qū)寬度的效用，但是增大或者降低取決于雜質離子的濃度。

總而言之，工業(yè)靜靜產生為了得到大粒度產品通常要避免自發(fā)成核，降低二次成核速率，將結晶過程中溶液的過飽和度控制在介穩(wěn)區(qū)內，不論晶種加入與否，無控制的結晶過程往往容易找過介穩(wěn)區(qū)，發(fā)生自發(fā)成核，大量晶核之間以及晶核與晶種之間因生長競爭有限的溶質，導致結晶產品粒度較小，產品品質也差，因此，介穩(wěn)區(qū)是結晶操作的重要依據(jù)，工藝流程或者設備改進同樣要要重視介穩(wěn)區(qū)這一重要的影響因素。