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半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱特別適用于半導(dǎo)體電子器件做溫度破壞測(cè)試，主要測(cè)試半導(dǎo)體電子器件材料結(jié)構(gòu)在瞬間下經(jīng)極高溫及極低溫的連續(xù)沖擊環(huán)境下所能忍受的程度，得以在*短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)試樣因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。本試驗(yàn)箱根據(jù)試驗(yàn)需求及測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分為三箱式和兩箱式，區(qū)別在于試驗(yàn)方式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同。三箱式分為蓄冷室，蓄熱室和試驗(yàn)室，產(chǎn)品在測(cè)試時(shí)是放置在試驗(yàn)室。兩箱式分為高溫室和低溫室，是通過電機(jī)帶動(dòng)提籃運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)高低溫的切換，產(chǎn)品放在提籃里，是隨提籃一起移動(dòng)的。

質(zhì)量優(yōu)勢(shì)：主要核心配件均采用國際大品牌的配件如法國泰康或德國比澤爾壓縮機(jī)，控制器有韓國三元、日本OYO、臺(tái)灣臺(tái)通三大品牌供客戶選擇，繼電器有日本路宮、和泉、三菱、施耐德，美國杜邦環(huán)保冷媒，丹麥(DANFOSS)、瑞典（AlfaLaval）等配件，假一罰十，能確保冷熱沖擊試驗(yàn)箱長期正常高效的運(yùn)行。

半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常，這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時(shí)也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極管）。

半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱技術(shù)參數(shù)表：

冷熱沖擊試驗(yàn)箱型號(hào)：LQ-TS-80A；LQ-TS-80B；LQ-TS-80C；LQ-TS-150A；LQ-TS-150B；LQ-TS-150CLQ-TS-250A；LQ-TS-250B；LQ-TS-250C；LQ-TS-1000A；LQ-TS-1000B；LQ-TS-1000C

標(biāo)稱內(nèi)容積（升）：80；150；250；300

試驗(yàn)方式：氣動(dòng)風(fēng)門切換2溫室或3溫室方式

性能

高溫室預(yù)熱溫度范圍：＋60～＋200℃

升溫速率：＋60→＋200℃≤30分鐘

低溫室預(yù)冷溫度范圍：－75－0℃

降溫速率：＋20→－75℃≤30分鐘

試驗(yàn)室溫度偏差：±2℃

溫度范圍TSL:（+60→+150）℃→（-40－-10）℃;

TSU:（+60～+150）℃～（-55～-10）℃;

TSS:（+60～+150）℃～（-65～-10）℃

溫度恢復(fù)時(shí)間※25分鐘以內(nèi)

試樣擱架承載能力：30kg

試樣重量7.5kg；7.5kg；10kg；10kg

內(nèi)部尺寸（mm）：W5006007001000

H4005006001000

D4005006001000

溫度上升和溫度下降均為各恒溫試驗(yàn)箱單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能。