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99.99%~99.9999%存儲條件：
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99.99%~99.9999%純度：
99.99%~99.9999%莫氏硬度：
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由高純度(99.99%~99.9999%)、精細(0~0.1μm)微粉和粒度為50~800μm的單晶β-SiC做母源，經(jīng)氣相沉積法可制造各種單晶碳化硅，其優(yōu)異的導電、導熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性使其在**、航天、航空、電子行業(yè)等高尖端領(lǐng)域用來替代電子級單晶硅和多晶硅，成為當前高科技領(lǐng)域公認的第三代半導體材料和LED等應用的電子封裝、基板材料。
導電、導熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性
碳化硅（SiC）具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、高導熱、抗氧化性以及高強度、低密度、介電性能可設計等優(yōu)異特性，是極具應用潛力的導熱吸波型材料。在半導體材料中，碳化硅的高導熱系數(shù)奠定了其在第三代半導體材料中
近期，中國粉體網(wǎng)開啟第九屆“粉體行業(yè)獎項年度評選”活動?！胺垠w行業(yè)獎項年度評選”是由中國粉體網(wǎng)聯(lián)合北京粉體技術(shù)協(xié)會于2013年共同發(fā)起，是粉體行業(yè)最具權(quán)威性的獎項之一。為了助推行業(yè)邁向更高臺階，202
近日，陜西省科技廳公布了2023年度陜西省工程技術(shù)研究中心績效評價結(jié)果，依托西安博爾新材料有限責任公司與西安科技大學聯(lián)合共建的四主體一聯(lián)合陜西省硅鎂碳微納米材料工程技術(shù)研究中心（以下簡稱“工程中心”）
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