任澤陽 副教授
| 專家姓名: | 任澤陽 | 職務: | ||
| 職稱: | 副教授 | 專業(yè)類別: | ||
| 研究方向： | ||||
超寬禁帶半導體金剛石材料與器件 |
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| 自我介紹： | ||||
副教授，碩士生導師，山東棗莊人，師從中科院院士郝躍教授，2014年、2018年獲西安電子科技大學學士、博士學位，2021年晉升副教授。主要研究方向包括金剛石生長CVD設備、金剛石材料生長與新型器件研究、金剛石與氮化鎵集成研究等。目前已在APL, IEEE EDL, IEEE TED等國內(nèi)外著名期刊上發(fā)表SCI檢索論文30余篇，授權(quán)國家發(fā)明專利20余項。獲批2019年博士后創(chuàng)新人才支持計劃，主持國家自然科學基金青年基金和面上項目、陜西省自然科學基金青年項目、陜西省重點產(chǎn)業(yè)鏈項目、重點實驗室基金、博士后科學基金等科研項目，國家重大科技專項專題負責人，山東省重點研發(fā)計劃、國家重點研發(fā)計劃青年項目參研單位負責人，作為主要成員參與基金委重大科研儀器項目、國家重點研發(fā)計劃等多個項目的研究工作。擔任Functional Diamond期刊青年編委，IEEE EDL 以及IEEE TED等期刊審稿人。獲陜西省電子學會自然科學獎一等獎，陜西省科技工作者創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽二等獎，陜西省首屆博士后創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽銅獎等獎項。 |
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| 所在單位: | 西安電子科技大學 | |||
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